VISHAY BUD616A 说明书 该文件介绍了Vishay Telefunken公司的BUD616A硅NPN高压开关晶体管的特点和特性，包括简单的开关关断晶体管(SWOT)、高速技术、平面封装、100 kHz的开关频率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和度、非常低的工作温度、优化的可靠性限制区域(RBSOA)和高反向电压等。
VISHAY BUD630 说明书 BUD630是Vishay Telefunken生产的一款高压开关晶体管，其特点是具有简单的开关关断晶体管（SWOT）、高速度技术、平面钝化、100千赫开关率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和、非常低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压。
VISHAY BUD636A 说明书 BUD636A是Vishay Telefunken生产的高压开关晶体管，采用简单开关关断晶体管（SWOT）技术、高速度技术、平面钝化技术，具有100kHz的开关频率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和、非常低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压
VISHAY BUD700D 说明书 BUD700D是Vishay Telefunken生产的一款高压开关型晶体管，具有集成C-E自由轮换二极管、简单开关关断晶体管(SWOT)、高速度技术、平面钝化、100kHz开关速率、极低开关损耗、极低动态饱和、极低工作温度、优化RBSOA和高反向电压等特点。应用于电子灯泡镇流器电路。
VISHAY BUD725D 说明书 该文档介绍了Vishay Telefunken的BUD725D硅NPN高压开关晶体管的特点和特性，包括集成的C-E自由轮二极管、SWOT技术、高速技术、平面封装、100 kHz开关速率等。
VISHAY BUD7312 说明书 BUD7312是Vishay Telefunken生产的一款高压开关型NPN晶体管，具有简单的开关特性（SWOT）、高速技术、平面钝化、100kHz开关速率、极低的开关损耗、极低的动态饱和、极低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压。
VISHAY BUD744 说明书 BUD744是一款高压开关型晶体管，具有简单开关关断晶体管（SWOT） 、高速度技术、平面钝化、100kHz开关速率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和度、非常低的操作温度、优化的RBSOA、高反向电压等特点，应用于电子灯泡镇流器电路和开关电源电路。
ON Semiconductor NUF6406MN 数据手册 这是一份关于NUF6406MN低电容6线EMI滤波器带ESD保护的文档。该器件适用于无线应用，能在800MHz到2.4GHz频段内达到大于-30dB的衰减。它还提供了ESD保护，能够抑制静电放电产生的瞬态。该器件具有EMI滤波和ESD保护的功能，集成了30个离散元件，符合IEC61000-4-2（4级）>8.0kV（接触）标准，尺寸为1.35 x 3.0 mm的DFN封装，具有1级湿敏度，ESD等级为机器模型C和人体模型3B。
ON Semiconductor NUP1105L 数据手册 NUP1105L是Onsemi推出的单线LIN/CAN总线保护器，该器件采用SOT-23封装，具有双向保护功能，可为系统设计人员提供一种低成本的解决方案，以提高系统可靠性和满足严格的EMI要求。
ON Semiconductor NZL5V6ATT1 数据手册 该文件介绍了一种双共阳稳压二极管，用于提供过电压保护能力。该产品适用于需要电压和ESD敏感设备的应用，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳设计可以保护四条独立线路，只使用一个封装。该产品适用于板载空间有限的情况。
ON NUP2201MR6 Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection 数据手册 NUP2201MR6是一款低电容TSOP-6二极管TVS阵列，用于保护高速度数据线。
ON Semiconductor NUP4103FC 数据手册 NUP4103FC是Semiconductor Components Industries, LLC推出的一种四通道ESD阵列器件，它具有极小的外形尺寸和超高的抗ESD能力，适用于对抗ESD敏感的便携设备和其他应用场景。
FAIRCHILD FDS8840NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8840NZ是一种N沟道功率沟道MOSFET，具有最大rDS(on)为4.5 mΩ，最大rDS(on)为6.0 mΩ，HBM ESD保护等特点。
FAIRCHILD FDS8817NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8817NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 通道 MOSFET，其最大 rDS(on) 为 7mΩ，VGS = 10V，ID = 15A。该器件具有极低的 rDS(on)、高功率和电流处理能力，并符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FDS8813NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8813NZ是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有30V的漏极到源极电压，18.5A的漏极电流和4.5mΩ的最大导通电阻。该器件采用了先进的PowerTrench®工艺，适用于笔记本电脑和便携式电池组等功率管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS8690 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8690 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N-Channel MOSFET，额定电压为30V，额定电流为14A，最大导通电阻为7.6mΩ。该MOSFET采用了高性能的沟槽技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它还具有极低的栅极电荷，高功率和电流处理能力，并且经过100%的RG测试，符合RoHS标准。
