FAIRCHILD FDMS3500 说明书 FDMS3500 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一款高性能MOSFET，具有75V、49A、14.5m�的特性，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS3572 说明书 该文档介绍了FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大电阻、Miller电荷、优化的高频效率等。
FAIRCHILD FDMS3600S 说明书 FDMS3600S 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一种双 N 通道 MOSFET 器件。它具有低开关损耗、优化的电路布局和低开关节振荡等特点。该器件可应用于计算、通信、通用点负载、笔记本电脑 VCORE 和服务器等领域。
FAIRCHILD FDMS3602S 说明书 FDMS3602S PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、低封装寄生电感、低开关损耗等特点。
FAIRCHILD FDMS3606AS 说明书 FDMS3606AS是一款30V不对称双N沟道MOSFET，具有低电感封装、较低的开关损耗和较低的电路电感，可用于计算机、通信、通用用途点的负载、笔记本VCORE和服务器MOSFET等应用。
FAIRCHILD FDMS3615S 说明书 FDMS3615S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗开关特性，适用于笔记本电脑、服务器等应用场合。
FAIRCHILD FDMS3620S 说明书 FDMS3620S PowerTrench® PowerStage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款低电感封装，提高开关速度，降低开关损耗的MOSFET，适用于计算、通信、电源和笔记本电脑等应用场景。
FAIRCHILD FDMS3622S 说明书 FDMS3622S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET。该产品具有低导通电阻、低电感封装、优化的布局和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDMS3624S 说明书 FDMS3624S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗和低功耗特性。
DIODES MMST4124 数据手册 该文件介绍了MMST4124型号的NPN小信号表面贴装晶体管的特点。它具有外延平面晶片结构、可用的互补PNP型号（MMST4126）、适用于中等功率放大和开关应用以及超小尺寸表面贴装封装。
FAIRCHILD FDMS3662 说明书 FDMS3662 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 通道 Power Trench® MOSFET，额定电压为 100V，额定电流为 49A，额定导通电阻为 14.8mΩ。该 MOSFET 具有低导通电阻、MSL1 坚固型封装、100% UIL 测试、RoHS 兼容等特点。
FAIRCHILD FDMS3626S 说明书 FDMS3626S PowerTrench® Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款双PQFN封装的N沟道MOSFET，具有低内阻和高转换效率的特点。该器件适用于计算、通信、通用点负载和笔记本电脑等应用。
