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本文档介绍了NCP1052低成本高压100 mA非隔离型电源，该电源采用Buck和Buck-Boost拓扑。该器件由ON Semiconductor公司制造，是一款集成700 V/ 300 mA功率开关的最新低成本开关控制器。它主要用于隔离10 W范围的反激式转换器。如果不需要隔离，该IC也可以用作步降型Buck和Buck-Boost转换器，通过去除光电耦合器并用电感替换变压器来进一步降低成本。输出电流能力为100 mA。可能的操作范围是从输入范围20 Vdc到700 Vdc到输出范围5.0 V或以上，电流为100 mA。典型的效率约为65%，在12 V Buck演示板上获得。所提出电路的优点包括：与反激式相比，Buck和Buck-Boost消除了光电耦合器并用电感替换变压器以节省成本。与反激相比，Buck和Buck-Boost在开关中提供较小的电压应力。它可以最小化开关损耗并提高效率。NCP105x可以从宽范围的高输入电压20 Vdc到700 Vdc中汲取电力。它不需要额外的供电电路。NCP105x以44、100或136 kHz的频率工作，并且可以适应各种输入电压和电流。

This document is about mmsd914t1.

该文档介绍了Motorola的小信号晶体管、场效应管和二极管的特点和特性，其中包括开关二极管的封装形式、高击穿电压和快速开关时间等特点。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data是一份介绍Motorola的中功率表面贴装产品的文档。这些产品采用Motorola的高电池密度HDTMOS工艺，并包含单片式反向锐利二极管。这些二极管提供了对静电放电和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换流模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有较高的功率效率。

该数据表提供了关于摩托罗拉EZFETs(高密度TMOS功率MOSFET)的详细信息，包括最大额定值、电压、电流等。

Motorola TMOS功率MOSFET晶体管设备数据介绍了一系列中功率表面贴装产品。这些产品采用Motorola的TMOS高细胞密度工艺，并包含单片式反向极化二极管，可提供防电静电放电和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换相模式下承受高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件专为低电压、高速开关应用而设计，重视功率效率。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、蜂窝电话和无绳电话。它们还可用于低电压电机控制，如磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品。

FDMC86320 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低门极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能，适用于DC/DC转换器、电机桥开关和同步整流器等应用

FDMC86324是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-Channel Power Trench® MOSFET，额定电压80 V，最大电流20 A，导通电阻23 mΩ。该器件具有低剖面（1 mm max in Power 33）、100% UIL测试和RoHS合规等特点。

FDMC8651是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其特点是低阻抗和低门极电阻，适用于DC/DC转换器、同步整流器等应用场合

该文件介绍了FDMC86520L N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低电压和高电流下的性能等。

FDMC8854是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有低RDS(on)、低封装高度和RoHS兼容性。

FDMC8878 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的N通道功率晶体管，具有30V、16.5A、14mΩ的特点。

FDMC8882 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率管理和负载开关应用

FDMC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款30V，15A，19mΩ的功率管。它采用Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process制造，具有极低的rDS(on)。该管子适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。

FDME1023PZT双P通道功率沟槽MOSFET是一款 -20 V，-2.6 A，142 mΩ 的电源开关，具有低开关导通电阻和低功耗特性。

FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。

该文件介绍了FDME1034CZT互补PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括N通道和P通道的最大导通电阻、低轮廓设计、无卤化合物和锑氧化物、静电放电保护等。

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该文件介绍了FDME510PZT P-Channel PowerTrench®MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、低外形高度、无卤化合物和锑氧化物、静电保护等。

该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。