PHILIPS BLF278 数据手册 BLF278是Philips Semiconductors生产的一款VHF推挽功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性和优异的可靠性。主要应用于VHF频率范围的广播发射机。
PHILIPS BLF368 数据手册 BLF368是菲利浦半导体生产的一款VHF推挽功率MOS晶体管，具备高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性等特点，采用4引脚SOT262A1平衡法兰封装，具有两只陶瓷帽。
PHILIPS BLF404 数据手册 BLF404 是 Philips 公司生产的 UHF 功率 MOS 晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、金属化、良好的热稳定性、可承受满负荷失配、设计用于宽带操作等特点。
PHILIPS BLF522 数据手册 BLF522 UHF功率MOS晶体管是Philips Semiconductors公司生产的一种N沟道增强型垂直D-MOS晶体管，用于UHF频率范围的通信发射应用。该晶体管封装在6引脚SOT171法兰包裹中，带有陶瓷盖。所有引脚都与法兰隔离。
PHILIPS BLF647 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF647是飞利浦生产的一款高功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、优异的坚固性、底部源极消除了直流隔离器，降低了共模电感，设计用于宽带工作（HF至800 MHz）
NXP BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 18 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200 是 NXP 公司生产的 200 W LDMOS 功率晶体管，用于 800 MHz 到 1000 MHz 频率的基站应用。
NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200R是NXP推出的一款200W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用，频率范围为800MHz至1000MHz。
NXP BLF6G20-110; BLF6G20LS-110 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 28 January 2008 Preliminary data sheet 1
