PHILIPS TOPFET high side switch BUK215-50Y SMD version of BUK210-50Y 数据手册 BUK215-50Y是Philips Semiconductors生产的高侧开关，采用TOPFET2技术，单通道，具备过温保护、负载电流限制、过载和短路保护、过压和欠压关断、开路负载检测、诊断状态指示、电压钳位等功能。
PHILIPS TOPFET high side switch BUK215-50YT SMD version 数据手册 BUK215-50YT是Philips Semiconductors公司推出的一款单通道高侧保护功率开关，采用TOPFET2技术，集成在一个5针塑料表面贴装封装中。
PHILIPS TOPFET high side switch BUK217-50YT SMD version 数据手册 BUK217-50YT是飞利浦半导体的一款高侧开关，由TOPFET2技术制造，封装为SOT426。这款开关具有低导通电阻、CMOS逻辑兼容性、很低的静态电流和自锁过温保护等特点。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK219-50Y TOPFET high side switch 数据手册 BUK219-50Y是一款由飞利浦半导体制造的单通道高侧保护功率开关，采用TOPFET2技术制造，封装形式为5针塑料包装。
PHILIPS TOPFET dual high side switch BUK218-50DY 数据手册 BUK218-50DY是Philips Semiconductors推出的一款车用双通道高侧开关，额定负载电流为8A，最大负载电流为16A，最大关断工作电压为50V，开关温度范围为-40°C~150°C。
PHILIPS TOPFET dual high side switch BUK218-50DC 数据手册 Philips Semiconductors的产品规范，描述了TOPFET双高侧开关BUK218-50DC的特点和特性。该产品是一个双通道高侧受保护功率开关，采用TOPFET2技术，最大电压为50V，最大负载电流为16A。它具有低通态电阻、低静态电流、过温保护、负载电流限制、过载和短路保护等功能。适用于驱动灯、电机、线圈和加热器等通用开关应用。
PHILIPS TOPFET high side switch BUK220-50Y SMD version of BUK219-50Y 数据手册 BUK220-50Y是Philips Semiconductors生产的TOPFET高侧开关，是一款单通道高侧保护型功率开关，采用TOPFET2技术，封装在5针塑料表面贴装包装中。
PHILIPS BUK221-50DY Dual channel high-side TOPFET™ Rev. 01 — 16 April 2003 Product data 数据手册 BUK221-50DY是一款基于TOPFET™ Trench技术的单片温度和过载保护的双高边功率开关。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK223-50Y 数据手册 BUK223-50Y是Philips Semiconductors生产的一款功率MOS开关，具备低导通电阻、CMOS逻辑兼容、极低静态电流等特点。
PHILIPS TOPFET high side switch BUK224-50Y 数据手册 BUK224-50Y是一款单通道高侧保护功率开关，采用TOPFET2技术，具有低静态电流、过温保护、过载和短路保护、过压和欠压关断等特性。适用于驱动灯具、电机、电磁线圈和加热器等通用控制器。
Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-800A/B Product specification BUK436W-800A/B是一款N沟道增强型功率MOS晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器等应用。它具有800V的漏极-源极电压、4A的漏极电流、125W的总功率耗散和3-4Ω的漏极-源极导通电阻。
Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-800A/B Product specification BUK436W-800A/B是一种功率MOS晶体管，适用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等应用。具有800V的漏源电压、4A的漏电流、125W的总功耗和3-4Ω的漏源开通电阻。
Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-1000B Product specification BUK436W-1000B是菲利普斯半导体生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，封装方式为SOT429（TO247），工作电压为1000V，最大电流为3.1A，最大功耗为125W。
Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-200A/B Product specification BUK436W-200A/B是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于开关模式电源供应器、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等应用。它具有200V的漏源电压，19A的漏电流，0.16Ω的漏源导通电阻等特点。
Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK438W-800A/B Product specification BUK438W-800A/B 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N-channel 增强模式场效应功率晶体管，最大电压为 800V，最大电流为 7.6A。
Philips Semiconductors Linear Products BUK444-200A/B 数据手册 BUK444-200A/B是菲利普斯半导体公司生产的N型增强型场效应功率晶体管，应用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等领域。
Philips Semiconductors Linear Products BUK444-200A/B 数据手册(1) BUK444-200A/B是一种功率场效应晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途开关电阻应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK444-60H 数据手册 BUK444-60H 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N-channel 增强型场效应功率晶体管，封装形式为塑料全包装。该器件适用于汽车应用、开关模式电源供应 (SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC 和 AC/DC 转换器以及一般用途开关应用。
