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该文件介绍了FDN5630型号的N通道MOSFET的技术特性，包括低RDS(ON)、优化高频率DC/DC转换器使用、低门电荷和快速开关等特点。该产品适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。

该文档介绍了FDN5630型号的N-通道MOSFET，该MOSFET具有低RDS(ON)，适用于高频率的DC/DC转换器，具有较快的开关速度和较高的整体效率。

本文件提供了FDN5630 MOSFET的规格信息，包括特性、参数、外形尺寸等。

该文档是关于FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的使用手册，介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on) = 98mΩ at VGS = 4.5V, ID = 1.6A、RDS(on) = 82mΩ at VGS = 10V, ID = 1.7A、Typ Qg(TOT) = 9.2nC at VGS = 10V、Low Miller Charge、Qualified to AEC Q101等

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP025N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V电压、265A电流、2.5mΩ电阻等。

FDDP032N08是一款N通道MOSFET，具有超低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点。该器件可用于DC/DC转换器和同步整流等应用。

FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是rDS(ON) = 3.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A，Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V，低Miller Charge，低QRR Body Diode，UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)，Qualified to AEC Q101。该产品适用于Motor / Body Load Control，ABS Systems，Powertrain Management，Injection Systems，DC-DC converters and Off-line UPS，Distributed Power Architectures and VRMs，Primary Switch for 12V and 24V systems等应用领域。

FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ，具有低米勒电荷、低QRR 体二极管、UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）、AEC Q101 认证等特点，适用于汽车动力系统、DC-DC 转换器和 Off-line UPS、分布式电源架构和 VRM、12V 和 24V 系统的主开关。

该产品是一款N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为60V，额定电流为80A，导通电阻为3.8mΩ。

FDP040N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，同时仍保持卓越的开关性能。该MOSFET的特点是RDS(on)=3.2mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=75A，开关速度快，栅极电荷低，采用高性能Trench技术实现极低RDS(on)，具有高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。

FDP047AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel UltraFET® Trench MOSFET，其特点包括rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.)、Qg(tot) = 92nC (Typ.)、Low Miller Charge、Low Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)、Qualified to AEC Q101等。该产品应用于42V Automotive Load Control、Starter / Alternator Systems、Electronic Power Steering Systems、Electronic Valve Train Systems、DC-DC converters and Off-line UPS、Distributed Power Architectures and VRMs、Primary Switch for 24V and 48V systems等场景。

该文件介绍了FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET的特点和特性，包括其电阻、总电荷、Miller电荷、体二极管电荷、UIS能力等。该产品适用于汽车负载控制、起动机/发电机系统、电子动力转向系统、电子气门控制系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源架构和VRM以及24V和48V系统的主开关。

NC7SB3157，FSA3157是一款低压SPDT模拟开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关，具有以下特点：1.可用于模拟和数字应用；2.节省空间，采用SC70 6引脚表面贴装封装；3.超小型，采用MicroPak™无引脚封装；4.低导通电阻<10Ω，在典型的3.3V VCC下；5.宽广的VCC工作范围：1.65V至5.5V；6.可处理从轨到轨的信号；7.电源关闭，高阻抗控制输入；8.控制输入的过压容忍度高达7.0V；9.断开前置使能电路；10.250MHz，3dB带宽。

NC7SB3157, FSA3157是高性能的单极双掷(SPDT)模拟开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关。该器件采用先进的亚微米CMOS技术制造，可实现高速度使能和禁用时间以及低导通电阻。断开前使能选择电路可防止由于在选择引脚切换期间两者暂时被使能而对B端口的信号造成中断。该器件规格为在1.65至5.5V V CC工作范围内工作。控制输入容忍高达5.5V的电压，而不管V CC工作范围。

NC7SB3157, FSA3157 是一款低压 SPDT 模拟开关或 2:1 多路复用器/解复用器总线开关

NC7SB3257是Fairchild的Ultra High Speed Series的TinyLogic®。它具有2至1的NMOS通道开关，具有高性能、低开关电阻、高速度等特点。它支持4.0到5.5V的VCC工作范围，能承受高于5.5V的控制电压。该产品采用SC70 6引脚表面贴装封装。

NC7SB3257是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款2:1 NMOS passgate多路复用器/解复用器。该器件采用先进的亚微米CMOS工艺制造，可实现高速度使能和禁能时间以及低开关阻抗。该器件指定为在4.0至5.5V VCC工作范围内工作。控制输入可以容忍高达5.5V的输入电压，而VCC的工作范围不受影响。

NC7SB3257是飞利浦公司的一款高性能2:1NMOS开关，具有空间节省，低阻抗等特点

NC7SBU3157是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款单极双掷(SPDT)模拟开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关，具有空间节省、SC70 6引脚、表面贴装封装、低导通电阻(典型值为3.3V VCC时小于10Ω)、广泛的VCC工作范围(1.65V至5.5V)、轨至轨信号处理、电源关断、高阻抗控制输入、控制输入的过电压容限(高达7.0V)、断开-闭合使能电路、250 MHz、3dB带宽等特点。