FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低功耗P沟道逻辑级MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的导通电阻和低的栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(2) 本文件是关于FDN352AP的技术资料，该产品是一款P通道MOSFET，其特点是R DS(ON)非常低，而且封装采用了SOT-23，适用于低电压和电池供电的应用场景
FAIRCHILD FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 FDN357N是Fairchild生产的一种N沟道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，它采用业界标准的SOT-23封装，具有优异的热电特性和高密度单元设计，可提供极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了1998年3月发布的FDN358P P-Channel逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性，包括其最大耐压、最大功耗、工作温度范围等。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了March 1998 FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性，包括最大额定值、工作温度范围、热阻等信息。
FAIRCHILD FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书 FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET。它具有低导通电阻和快的开关速度。适用于低压和电池供电的应用，在这些应用中需要低的线路损耗和快速的开关速度。
FAIRCHILD FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书 FDN359AN 是Fairchild Semiconductor 生产的一款N沟道逻辑级 MOSFET，使用了该公司的先进 PowerTrench 工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件非常适合低电压和电池供电应用，在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET 说明书(1)(1) FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET，是一种采用 Fairchild 先进 PowerTrench 工艺生产的 N 沟道逻辑级 MOSFET，它特别定制以最小化开关状态电阻并保持卓越的开关性能。该器件非常适合低压和电池供电应用，在这些应用中，需要低线损和快速开关。
FAIRCHILD FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET 说明书(1) FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，其最大额定电压为30V，最大额定电流为2.7A。
FAIRCHILD Single P-Channel PowerTrench TM MOSFET 说明书 FDN360P是Fairchild Semiconductor生产的一款P通道逻辑级MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要低直流损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书 (1) FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书(1) FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN361BN是Fairchild Semiconductor推出的一款低压应用的N沟道逻辑级功率MOSFET，其最大电压为30V，额定电流为1.8A。该器件具有低RDS(ON)、低门极电荷、小封装等特点，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡等低压应用场合。
FAIRCHILD FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文档介绍了FDN361BN型号的30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，适用于低压应用领域，具有快速开关和低功耗的特点。
FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN371N是Fairchild公司生产的20V N通道MOSFET器件，采用Fairchild公司高压PowerTrench工艺，应用于负载开关、电池保护、电源管理等场合。
FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了一款20V N-通道功率MOSFET，使用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，优化用于功率管理应用。其特点包括2.5A，20V的漏极-源极电阻为50mΩ，低栅电荷，快速开关速度以及极低的漏极-源极电阻。
FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 说明书 FDN372S是一款30V N-沟道PowerTrench同步MOSFET，可替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管，具有低Rds(on)和低栅极电荷，能够提高功率转换效率。
FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 说明书 FDN372S是美国Fairchild公司生产的一款30V N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FND5618P是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，该器件具有极低的RDS(ON)，快速的开关速度，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了一种60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET产品，具有高压PowerTrench工艺，适用于功率管理应用。其特点包括：-1.25 A, –60 V的漏源电阻，快速开关速度，极低漏源电阻。
