FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1)(1) FQPF70N08是一款由Fairchild制造的N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车等低压应用。
FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1) 这份文件介绍了FQPF70N08型号的80V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild独有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(1)(1) FQPF70N10是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC马达控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(1) FQPF70N10是飞思卡尔公司生产的一款100V N通道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低门极电容、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点，适用于音频放大、高效率开关DC/DC转换器、DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF7N10 说明书 FQPF7N10是Fairchild生产的一款100V N-Channel MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。
FAIRCHILD FQPF7N10L 说明书 FQPF7N10L是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用场合。
FAIRCHILD FQPF7N10L 数据手册 FQPF7N10L是一款由Fairchild生产的N-通道增强型功率场效晶体管，采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、高浪涌能量等特点，适用于高效率DC/DC转换器、DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF7N20L 说明书 FQPF7N20L是Fairchild生产的一款200V N-Channel MOSFET，其特点是低门极电容和低导通电阻，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQPF7N40 说明书 (1) QFET QFET QFET QFET是鼎好电子自有的集成电路品牌。QFET QFET QFET QFET产品线涵盖MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC JBS、SiC PIN、GaN HEMT等产品，广泛应用于电动汽车、新能源、轨道交通、工控、5G通讯、光伏等领域。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 FQPF7N60是Fairchild生产的一款600V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF7N60 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600V 的 N 沟道 MOSFET，具有 4.3A 的最大连续电流，1.0 欧姆的典型开关电阻，29 nC 的典型栅极电荷，16 pF 的典型栅极电容，100% 的雪崩测试，改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 数据手册 FQP7N65C/FQPF7N65C是富士通生产的650V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点。该器件适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP7N65C/FQPF7N65C型号的650V N沟道MOSFET的特点。它采用了Fairchild公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是飞兆半导体公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体公司专有的平面条纹DMOS工艺。该工艺专为最小化开关导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换流模式下高能脉冲而量身定制。该器件非常适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯光镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的低导通电阻、低栅极电容、快速开关、100% 雪崩测试的产品，适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等场景。
