FAIRCHILD FQPF6N15 说明书(1) 鼎好电子是一家专注于电子元器件采购销售服务的电子元器件分销商，鼎好电子拥有丰富的产品线，包括：二极管、三极管、MOS管、晶体管、电阻、电容、电感、变压器、连接器、继电器、传感器、开关、电源、LED等电子元器件。鼎好电子提供专业的电子元器件采购服务，满足客户的各类电子元器件采购需求。
FAIRCHILD FQP6N40C/FQPF6N40C 说明书 这份文档介绍了FQP6N40C/FQPF6N40C型号的400V N-通道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有较低的导通电阻、优异的开关性能和较高的耐高能脉冲能力。适用于高效的开关电源和基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
FAIRCHILD FQPF6N45 说明书 该产品是一款450V N通道 MOSFET，其特点是低导通电阻（RDS（on）= 1.1Ω @ VGS = 10 V）、低栅极电荷（典型值为16 nC）和低Crss（典型值为11 pF）。该产品适用于高效率的开关电源和基于半桥的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF6N60 说明书(1) FQPF6N60 是 600V 的 N 沟道 MOSFET，它采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP6N60C/FQPF6N60C 说明书 FQP6N60C/FQPF6N60C 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有优秀开关性能的增强型功率场效应晶体管。该器件具有5.5A的最大连续电流、600V的最大沟道电压、2.0Ω的典型导通电阻、16 nC的典型栅极电荷、7 pF的典型反向输出电容。该器件适用于高效率开关模式电源、有源功率因数校正、半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF6N70 数据手册 FQPF6N70是Fairchild生产的一款700V N沟道MOSFET，具有低门极电荷（典型值为30 nC）、低Crss（典型值为15 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF6N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF6N80 是 Fairchild Semiconductor 生产的 800V N 通道 MOSFET，具有 3.3A 的持续电流和 800V 的最大电压。其特点是低导通电阻，低栅极电荷和低 Coss。该器件经过 100% 的雪崩测试，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF7P06 说明书 FQPF7P06是一款由Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 说明书 FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1)(1) FQPF6N90是900V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1) 该文件介绍了FQPF6N90型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点，包括最小的导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换流模式下的高能量脉冲承受能力。该器件非常适用于高效开关模式电源。
FAIRCHILD FQP6N90C/FQPF6N90C 说明书 FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的高性能N通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关和100%雪崩测试等特点，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6P25 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQPF6P25 250V P通道MOSFET的特点和特性。这些功率场效应晶体管采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
