INFINEON IPI60R600CP CoolMOS Power Transistor 说明书 该文件介绍了IPI60R600CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的R ON x Qg值、超低的门电荷、极限dv/dt值、高峰值电流能力等。
INFINEON SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 说明书 该文件介绍了SPP20N65C3, SPA20N65C3和SPI20N65C3三种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的RDS(on)、超低的栅极电荷、周期性雪崩能力、极高的dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导。
INFINEON BSS139 说明书 BSS139是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET器件，其最大额定电压为250V，最大持续电流为0.1A，最大脉冲电流为0.4A，最小门限电压为-1.4V，最大漏源导通电阻为30Ω。
INFINEON IPI60R520CP 说明书 IPI60R520CP CoolMOSTM Power Transistor是英飞凌公司的一款功率晶体管，该产品具有最低功率损耗、超低栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和高可靠性等特点，适用于硬开关SMPS拓扑结构。
INFINEON BSO350N03 说明书 BSO350N03 OptiMOS®2 Power-Transistor 是一款快速开关 MOSFET，适用于 SMPS，针对笔记本电脑 DC/DC 进行了优化，具有双 n 通道、逻辑电平、出色的门极电荷 x R DS(on) 积（FOM）、非常低的导通电阻 R DS(on)、雪崩额定、dv/dt 额定、无铅铅封装、RoHS 兼容等特点。
INFINEON SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3说明书 Page 1 SPP20N60 这是一款新型高压技术的功率晶体管，具有极低的RDS（on），高峰值电流能力，改进的传导率，以及P-TO-220-3-31完全绝缘的封装（2500VAC，1分钟）
INFINEON - IKW75N60T 说明书 该文档介绍了IKW75N60T TrenchStop®系列q功率半导体产品的特点和特性，包括低损耗DuoPack设计、低VCE(sat)、最高结温175°C、短路耐受时间5µs、正温度系数的VCE(sat)、参数分布紧密、高耐用性、温度稳定性高、开关速度快、低电磁干扰、快速恢复反并联EmCon HE二极管等。
INFINEON SPI20N60CFD 说明书 Page 1 SPI20N60 该数据表是SPI20N60CFD Cool MOS™ Power Transistor的参数表，包含了该产品的最大电压、电流、功耗等特性
INFINEON SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 说明书ax 该数据表提供了SPP07N60C3, SPI07N60C3, SPA07N60C3 Cool MOS™ Power Transistor的参数信息，包括最大电压、导通电阻、标称电流、封装类型、型号、订购代码等。
INFINEON IPA60R250CP 说明书 IPA60R250CP是一款CoolMOS®电源晶体管，具有最低的RONxQg比，超低的门控电荷6.6，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，符合JEDEC1)目标应用的资格，无铅铅涂层，RoHS兼容。CoolMOS CP专为：• 硬开关SMPS拓扑而设计。
INFINEON IPI50R140CP 说明书 该文档介绍了IPI50R140CP CoolMOS®功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的R DS,on，最低的R ON x Qg，超低的门电荷，极端的dv/dt额定值，高峰值电流能力等。
INFINEON IKP20N60T 说明书 该数据表格主要介绍了IKP20N60T和IKW20N60T两个型号的IGBT的参数信息，包括额定电压、额定电流、漏极-发射极压缩电压、最大结温、标志、封装等
INFINEON SPW32N50C3 说明书 该文档介绍了SPW32N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容、改进的跨导等。
