INFINEON IPB60R199CP 说明书 IPB60R199CP CoolMOS TM功率晶体管特点：最低的R ONxQ g值；超低的栅极电荷；极高的dv/dt额定值；高峰值电流能力；符合JEDEC1)的目标应用要求；无铅引线镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为硬开关拓扑设计，适用于服务器和电信应用。
INFINEON Preliminary PMA51xx / PMA71xx 说明书 该文件是关于PMA51xx / PMA71xx RF Transmitter IC的初步ROM库函数指南，介绍了该产品的特点特性，包括嵌入式8051微控制器、LF 125kHz ASK接收器和FSK/ASK 315/434/868/915 MHz发射器。
INFINEON IPP50R199CP 说明书 IPP50R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg值，超低的门电荷，极高的dv/dt耐压能力，高峰值电流能力，并且符合RoHS标准。适用于硬开关和软开关的开关电源拓扑结构，以及CCM PFC、PWM等应用。
INFINEON SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3 说明书 SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3是一款新的高压技术功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力和改进的传导率。
PANASONIC SPP07N60C3, SPB07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 说明书 SPP07N60C3, SPB07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 Cool MOS™ Power Transistor 是德州仪器公司生产的一款高压大功率场效应晶体管，其特点是具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定值、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、改进的转移电导和150℃的操作温度。
BOURNS TISP61089B 说明书 该产品是TI公司的TISP61089B双向导通缓冲p门晶闸管过压保护器，用于保护集成SLIC（订户线接口电路）免受电话线上由雷击、交流电源和环回电压引起的过压。
INFINEON SPP08N80C3, SPI08N80C3 SPA08N80C3 说明书 SPP08N80C3, SPI08N80C3 SPA08N80C3 是一款 800 V 低压降、高电流功率晶体管，采用全新的革命性高压技术，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON IPA60R125CP 说明书 IPA60R125CP CoolMOS是世界上最小的N沟道MOSFET，导通电阻为0.125欧姆，具有极低的门控电荷，高峰电流能力，并通过JEDEC认证，符合RoHS标准。
INFINEON SMBT2222A/MMBT2222A 说明书 该文件介绍了2006年发布的SMBT2222A/MMBT2222A型号的NPN硅开关晶体管的特点和特性，包括高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。
infineon BTS650P 数据手册 BTS650P是一款高侧高电流功率开关，具有以下特点：过载保护、电流限制、短路保护、过热保护、过电压保护（包括负载掉电保护）、负载输出钳位、快速断开感性负载、低电阻反向电流操作、开路负载检测、VBB丢失保护、静电放电保护。
INFINEON BTS409L1 说明书 BTS409L1是Infineon Technologies AG公司生产的一款高侧功率开关，具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过电压保护、快速去磁等特点。它应用于12 V和24 V直流接地的负载，可替代机械继电器、保险丝和离散电路。
LINEAR TECHNOLOGY LT1880 说明书 LT1880是一款高精度输入性能和轨到轨输出摆幅的运算放大器，适用于热电偶放大器、桥式传感器调理器、仪器放大器、电池供电系统和光电流放大器等应用。
INFINEON SPP17N80C3/SPA17N80C3 说明书 该文件介绍了SPP17N80C3和SPA17N80C3两款Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新型高压技术、全球最佳的RDS(on)值、超低门电荷、周期性雪崩耐受能力、极高的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导等。
INFINEON IPB60R125CP CoolMOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了IPB60R125CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的导通电阻乘电荷（RONxQg），超低的栅极电荷，极高的dv/dt耐受能力，高峰值电流能力等。该产品适用于服务器和电信领域的硬开关拓扑。
