INFINEON BAS116... Silicon Low Leakage Diode 说明书 该文件介绍了BAS116硅低漏电二极管的特点和特性，适用于低漏电应用和中等速度的开关时间。它具有80V的反向电压和250mA的正向电流。另外，该二极管具有较低的反向电流和快速的反向恢复时间。
INFINEON BTS 4141N Smart High-Side Power Switch 说明书 BTS 4141N 是德国公司 Infineon 生产的一种高侧功率开关器件，具有短路保护、过流保护、过载保护、过压保护、欠压关断、开关电感负载、输出负压钳位、CMOS 兼容输入、热关断、ESD 保护、掉电、低待机电流、外部电阻反向电池保护等功能
INFINEON IKP15N60T 说明书 该文件介绍了IKP15N60T TrenchStop®系列的功率半导体器件，具有低损耗、快速恢复反并联EmCon HE二极管。产品具有很低的VCE(sat)值，最高结温175°C，短路承受时间为5微秒。适用于频率转换器和不间断电源等应用。采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有参数分布紧密、高韧性、温度稳定性好、开关速度快等特点。
INFINEON SDT12S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书 SDT12S60是世界上第一个600V肖特基二极管，采用革命性的半导体材料——碳化硅，具有卓越的开关特性，无反向恢复，无温度影响，无正向恢复
INFINEON SPD06N60C3 CoolMOS Power Transistor 说明书 该文件介绍了SPD06N60C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性击穿额定、高峰值电流能力、超低等效电容、极端的dv/dt额定、改善的跨导值等。
技嘉 GA-8GEM800 Intel Pentium 4 Socket 478 Processor Motherboard 用户手册 这是一本GA-8GEM800主板的产品使用手册，介绍了主板的特点和安装步骤等信息
INFINEON BSP129 SIPMOS mall-Signal-Transistor 说明书 BSP129是一款N通道、耗尽模式、dv /dt额定小信号晶体管，可在线提供VGS(th)指示器。它符合RoHS，具有无铅焊锡。
ANALOG DEVICES AD8331/AD8332/AD8334 说明书 AD8331/AD8332/AD8334是单通道、双通道和四通道的超低噪声、线性的前置放大器。具有超低噪声、宽增益范围、低功耗等特点。
INFINEON IPP50R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书 该数据表提供了IPP50R299CP的参数信息，包括最大电压、最大电流、最小电流、最大功率、最大温度等。
INFINEON TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz Wireless Transceiver 说明书 该文件是关于TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz无线收发器的数据手册。介绍了该产品的特点和特性。
INFINEON IPW60R125CP 数据手册 IPW60R125CP是CoolMOSTM功率晶体管，具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1)目标应用的资格认证，以及无铅镀铅和RoHS合规性。CoolMOS CP专门设计用于：服务器和电信的硬开关拓扑结构
lnfineon SPB17N80C3 Data Sheet SPB17N80C3 CoolMOS® 功率晶体管具有新的革命性高压技术、极端dv/dt额定值、高峰电流能力、根据JEDEC1）为目标应用而合格、无铅铅镀层；符合RoHS、超低门极电荷和超低有效电容。CoolMOS C3设计用于：工业应用，带有高直流总电压；开关应用（主动夹紧前向拓扑）
INFINEON SPW47N65C3 数据手册 SPW47N65C3 CoolMOSTM 功率晶体管，具有以下特点：全球最优 R ds,on 在 TO247、低栅极电荷、极端 dv/dt 评级、高峰值电流能力、符合 JEDEC1) 针对目标应用的认证、无铅铅封装；符合 RoHS 要求。
INFINEON SPP18P06P 数据手册 SPP18P06P SIPMOS Power-Transistor是用于P通道电源开关应用的增强型三极管，其特点是具有Avalanche额定值和175°C的操作温度。
