INFINEON BSP297 数据手册 该文件是关于BSP297 Rev. 1.21 SIPMOS小信号晶体管的产品摘要。该晶体管为N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有最大200V的漏源电压和1.8Ω的漏源电阻。其特点包括增强型逻辑电平，dv/dt评级和PG-SOT-223封装。
INFINEON SPW52N50C3 数据手册 SPW52N50C3是一款高压MOS功率管，具有世界上最好的RDS(on)、超低门极电荷、周期性雪崩评级、极端dv/dt评级、超低有效电容和改进的导通率
INFINEON XC164CS-16F 说明书 该文件是一份数据表，介绍了2006年3月发布的Infineon Technologies AG生产的XC164CS-16F 16位单片微控制器的特点和特性。
INFINEON C505 C505C C505A C505CA 说明书 该文件介绍了一种名为C505的8位单片微控制器，包括C505C、C505A和C505CA等型号。该微控制器由Infineon Technologies AG制造，具有高性能和可靠性。该文件还提供了关于技术、交货条件和价格的进一步信息。
INFINEON IPW60R299CP 数据手册 该文件介绍了IPW60R299CP CoolMOSTM功率晶体管的特点，包括最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt评级和高峰值电流能力。该产品符合JEDEC标准，并适用于硬开关SMPS拓扑结构。
INFINEON IPW50R140CP 数据手册 该文件介绍了IPW50R140CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的R DS,on值、最低的R ON x Qg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、较高的峰值电流能力等。
INFINEON IPP90R1K2C3 数据手册 IPP90R1K2C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RONxQg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，针对目标应用符合JEDEC1）的资格，无铅铅镀层；符合RoHS标准；超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 专为：准谐振反飞 / 前拓扑结构；PC 银盒和消费应用；工业 SMPS 而设计。
INFINEON SPP11N65C3 数据手册 该文件介绍了SPP11N65C3, SPA11N65C3和SPI11N65C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩能力、极限dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导等。
INFINEON BFP193W 数据手册 该文件介绍了2005-09-29 BFP193W 1 NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于低噪声、高增益放大器和线性宽带放大器，频率范围为2 GHz，fT = 8 GHz，在900 MHz处增益为1 dB。
LINEAR TECHNOLOGY LT1815 LT1816/LT1817 数据手册 1 LT1815 LT1816/LT1817 181567fa 单/双/四 220MHz, 1500V/µs 可编程电源电流的运算放大器具有出色的 DC 性能。
INFINEON IPD60R385CP 数据手册 IPD60R385CP CoolMOS® Power Transistor 是全球最佳 R ds,on 在 TO252，超低栅极充电，极端dv/dt额定，高峰电流能力，通过JEDEC1) 认证，符合RoHS标准。
INFINEON ITS621L1 数据手册 PROFET® ITS621L1是英飞凌推出的一款智能双通道高侧功率开关，该产品具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载回弹）等功能，可应用于工业应用中，适用于12 V和24 V直流接地负载，可替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。
INFINEON IKP03N120H2 数据手册 IKP03N120H2、IKW03N120H2是英飞凌的高性能功率半导体，适用于SMPS、Lamp Ballast、ZVS-Converter等应用。该系列产品具有温度稳定的特性，并通过了JEDEC2认证。
INFINEON IPP90R800C3 数据手册 IPP90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor 是英飞凌公司推出的一款功率晶体管，该产品具有最低的R ON x Qg、极高的dv/dt、高峰值电流能力等特点，适用于各种开关电源应用。
