FAIRCHILD KST55/56 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST55/56是Fairchild公司生产的PNP型电晶体，其最大集电极-发射极电压为-60V/-80V，最大集电极-发射极饱和电压为-60V/-80V，最大集电极电流为-500mA，最大集电极功耗为350mW，最大工作温度为150℃，其封装形式为SOT-23。
FAIRCHILD KST5401 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST5401是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型高压晶体管。它具有-160V的最大集电极-基极电压、-150V的最大集电极-发射极电压、-5V的最大发射极-基极电压、-500mA的最大集电极电流和350mW的最大集电极功耗。它可以在150℃的存储温度下工作。
FAIRCHILD KST4403 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文件介绍了KST4403 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。其中包括其工作电压、电流、功率耗散和温度范围等。此外，还提供了其基本参数，如集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、基极截止电流、集电极截止电流、直流电流增益、饱和电压、频带宽度乘积、输出电容和开关时间等。
FAIRCHILD KST4401 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST4401是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管，其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极-基极电压为60V，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极电流为600mA，最大集电极功耗为350mW，存储温度为150℃。
FAIRCHILD KST3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST3906是Fairchild公司生产的一款PNP型硅晶体管，其最大集电极-基极电压为-40V，最大集电极-发射极电压为-40V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-200mA，最大集电极功耗为350mW，最大储存温度为150℃。
FAIRCHILD KST2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型NPN三极管，其最大电流为-600mA，最大功率为350mW，工作温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD KST2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST2222A 是 NPN 型三极管，最大集电极-发射极电压为 40 V，最大集电极-发射极反向电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 6 V，最大集电极电流为 600 mA，最大集电极功耗为 350 mW。
FAIRCHILD KST05/06 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST05/06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为60V，最大集电极-发射极饱和电压为0.25V，最大发射极-基极电压为4V，最大集电极电流为500mA，最大功耗为350mW，封装类型为SOT-23。
FAIRCHILD KSP94 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP94是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高压PNP型三极管，其最大集电极-发射极电压为-400V，最大集电极-基极电压为-400V，最大发射极-基极电压为-6V，最大集电极电流为-300mA，最大集电极功耗为625mW，最大结温为150°C，最大存储温度为-55~150°C。
FAIRCHILD KSP55/56 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSP55/56 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。其中包括了器件的最大电压、电流、功率耗散、温度等额定值，以及集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、电流增益带宽等电气特性。
FAIRCHILD KSP44/45 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP44/45是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型高压晶体管，其最大集电极-发射极电压可达400V，最大集电极-基极电压可达500V，最大发射极-基极电压为6V。
FAIRCHILD KSP42/43 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP42/43是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型高压晶体管，其最大集电极-发射极电压为300V，最大集电极-发射极功耗为625mW。
FAIRCHILD KSP2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP通用放大器，其特点是集电极-发射极电压为VCEO= 60V，集电极功耗为PC（最大）= 625mW。该芯片有带“-C”和不带“-C”的两种封装，带“-C”的封装为中心集电极，不带“-C”的封装为侧面集电极。该芯片的型号为PN2907A。
FAIRCHILD KSP2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文件是关于KSP2222A NPN通用放大器的说明书。该产品的特点包括：集电极-发射极电压为40V，集电功率耗散为625mW。
FAIRCHILD KSD1616/1616A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSD1616/1616A是一款音频频率功率放大器和中速开关，额定电压为60V和120V，额定电流为1A和2A。
FAIRCHILD KSP05/06 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档是关于Fairchild Semiconductor Corporation的KSP05/06 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性的介绍。该晶体管具有高电压和功率耗散能力，是KSP55/56的补充产品。
