MOTOROLA MC34025 MC33025 数据手册 MC34025DW MC34025P是高频、固定频率、双端脉宽调制器控制器，专门用于离线和DC-DC转换器应用，为设计人员提供了成本效益高的解决方案，只需最少的外部组件。
FAIRCHILD MC3303/MC3403 说明书 MC3303/MC3403是四路运放，具有高增益、内部频率补偿等特点，能够在单电源或双电源下工作，工作电压范围宽，输出电压可以摆到GND或负电源，常用在音频放大电路中。
FAIRCHILD KSA992 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSA992是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP型音频频率低噪声放大器，其额定最大电压为-120V，最大电流为-50mA，最大功率为500mW。
FAIRCHILD KSA931 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2002年发布的KSA931 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于低频放大和中速开关应用。
FAIRCHILD KSA928A PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSA928A是一款音频功率放大器，与KSC2328A互补使用，具有1W的集电极功耗和3瓦的输出应用。
FAIRCHILD KSA916 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件是关于 KSA916 数据手册的，它是一款由 Fairchild Semiconductor Corporation 公司生产的 PNP 型硅晶体管。该数据手册提供了该晶体管的绝对最大额定值、电气特性、hFE 分类、符号参数、测试条件、最小值、典型值、最大值、单位以及图形。
FAIRCHILD KSA812 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文档介绍了KSA812 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性，包括电流增益、饱和电压、导通电压等。此外，还提供了器件引脚排列图和hFE分类信息。
FAIRCHILD KSA733 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSA733 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电特性。该晶体管具有低频放大器功能，特点包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压和发射极-基极电压等。
FAIRCHILD KSA708 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSA708是一种NPN型硅晶体管，具有低频放大和中速开关特性。该管具有-80V的集电极-基极击穿电压，800mW的集电极功耗，-0.7V的集电极-发射极饱和电压和-1.1V的基极-发射极饱和电压。
FAIRCHILD KSA643 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSA643是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款PNP型低频功率放大器，具有500mW的最大集电极电流、-40V的最大集电极-发射极反向电压和-20V的最大发射极-基极反向电压。该器件采用TO-92封装，工作温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD KSA539 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件是关于KSA539 PNP Epitaxial Silicon Transistor的绝对最大额定值、电气特性、分类、符号、参数、测试条件、最小值、典型值和最大值等信息。
FAIRCHILD KSA1298 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件是关于KSA1298 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电特性的说明。该晶体管具有低频功率放大器的特点，是KSC3265的互补型号。
FAIRCHILD KSA1281 数据手册 KSA1281是一款音频功率放大器，具有1W的集电极功耗和3瓦的输出应用。其绝对最大额定值包括集电极功耗、结温、存储温度等。其电特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、基极-发射极饱和电压等。
FAIRCHILD KSA1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 本文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSA1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于低频功率放大器，与KSC2859互补。文档提供了晶体管的最大额定电压、最大功耗、最大结温和存储温度等信息，还列出了静态特性、直流电流增益、基极-发射区饱和电压等特性的典型曲线。
FAIRCHILD KSA1015 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSA1015是Fairchild Semiconductor生产的PNP型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为-50V，最大集电极-发射极反向电压为-50V，最大集电极-基极反向电压为-5V，最大集电极电流为-150mA，最大基极电流为-50mA，最大集电极功率耗散为400mW，最大结温为125℃，最小储存温度为-65℃，最大储存温度为150℃。
FAIRCHILD FZT749 PNP Low Saturation Transistor 数据手册 该文件描述了1998年7月发布的FZT749 PNP低饱和晶体管的特点和特性，包括高电流增益、低饱和电压和持续3A的集电极电流。
FAIRCHILD FZT649 NPN Low Saturation Transistor 说明书 FZT649是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达3A连续
FAIRCHILD FZT3019 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 FZT3019是一款NPN通用功放器件，适用于中等功率放大器和开关电路，要求集电极电流最大为500mA，集电极电压最大为80V。
FAIRCHILD FSB749 PNP Low Saturation Transistor 数据手册 FSB749是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP低饱和型晶体管，具有高电流增益和低饱和电压，其集电极电流可达3A
FAIRCHILD FSB660/FSB660A PNP Low Saturation Transistor 数据手册 FSB660 / FSB660A是PNP低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，连续集电流可达2A。
