ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT1003RKLL 1000V 4A 3.00Ω 数据手册 该文档介绍了一种具有以下特点的产品：1.漏极-源极击穿电压（VGS = 0V，ID = 250µA）；2.漏极-源极导通电阻（VGS = 10V，2A）；3.零栅极电压漏极电流（VDS = 1000V，VGS = 0V）；4.零栅极电压漏极电流（VDS = 800V，VGS = 0V，TC = 125°C）；5.栅极-源极泄漏电流（VGS = ±30V，VDS = 0V）；6.栅阈电压（VDS = VGS，ID = 1mA）。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT1004RCN 1000V 3.6A 4.00Ω 数据手册 APT1004RCN是一款高压功率MOSFET，其最大电压为1000V，最大电流为3.6A，RDS(ON)为4.00Ω。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10040B2VFR APT10040LVFR 1000V 25A 0.400 数据手册 这是一份APT10040B2VFR的技术资料，包含了该产品的最大额定值、静电特性等信息
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050B2LC APT10050LLC 1000V 21A 0.500W 数据手册 该文件介绍了APT10050型号的产品的最大额定值、技术特性和静态电特性。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500W 数据手册 APT10050B2VFR和APT10050LVFR是APT公司推出的一款新型功率MOSFET器件，其最大电压为1000V，最大电流为21A，典型阻抗为0.500欧姆。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050B2VR 1000V 21A 0.500Ω 数据手册 APT10050B2VR是德州仪器公司生产的一款功率晶体管，其特点是额定电压为1000V，额定电流为21A，漏源电阻为0.500Ω，额定功率为21W，温度范围为-55℃到150℃。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050JLC 1000V 19A 0.500Ω 数据手册 该文件介绍了特定产品的特性和测试条件，包括漏极-源极击穿电压、开态漏极电流、漏极-源极开态电阻、零栅极电压漏极电流、栅极-源极泄漏电流、栅极阈值电压等。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050JN 1000V 20.5A 0.50Ω 数据手册 APT10050JN 是 ISOTOP 公司的一款功率 MOSFET，其特点是最大电压 1000V，最大电流 50A，最大功率 500W。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050JVR 1000V 19A 0.500Ω 数据手册 APT10050JVR 是ISOTOP 公司生产的一种功率器件，其额定电压为1000V，持续电流为19A，导通电阻为0.500欧姆。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10050JVFR 1000V 19A 0.500Ω 数据手册 APT10050JVFR 是 ISOTOP® 公司的一款肖特基二极管，额定电压 1000V，最大电流 19A，最大功率 0.500 W，封装类型 SOT-227。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10057WVR 1000V 17.3A 0.570Ω 数据手册 该文件介绍了G D S产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、漏-源开态电阻、零栅压漏电流等。
advancedpower APT10078BFLL APT10078SFLL 1000V 14A 0.780W 数据手册 该数据表是APT10078数据手册的部分内容，主要提供该产品的静态电气特性、最大额定值等信息。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10086BLC APT10086SLC 1000V 13A 0.860 数据手册 本文件为APT10086数据手册，介绍了该产品的静态电气特性、最大额定值、可重复非重复浪涌电流、重复浪涌能量和单脉冲浪涌能量等信息。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10086BVFR 1000V 13A 0.860Ω 数据手册 APT10086BVFR是安森美生产的一款高压N通道增强型功率MOSFET，具有低压降、快速恢复体二极管、100%雪崩测试等特点。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10086SVR 1000V 13A 0.860Ω 数据手册 Power MOS V®是一种新一代的高压N-沟道增强型功率MOSFET。这种新技术最大限度地减小了JFET效应，增加了封装密度，并降低了导通电阻。Power MOS V®还通过优化的栅极布局实现了更快的开关速度。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10088HVR 1000V 11A 0.880Ω 数据手册 APT10088HVR 是一款 N 通道增强型功率 MOSFET，具有 1000V 的击穿电压和 11A 的最大连续电流。该产品采用 Power MOS V 技术，可最大限度地减少 JFET 效应、提高封装密度并降低导通电阻。
