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ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10021JLL 数据手册

该文件是关于APT10021JLL的技术信息，包括该产品的最大额定值、静电特性等

该文档介绍了一种具有高电压、高电流和低电阻特性的功率MOSFET产品。它具有高达1000V的漏极-源极击穿电压，最大34A的开态漏极电流和0.25Ω的漏极-源极开态电阻。该产品还具有低的零栅极电流和漏极电流，以及高的栅极-源极阈值电压。

该数据表格为 APT10025JVFR 产品的静电电气特性

该文件介绍了一种名为APT10025JVR的产品的特点特性，包括漏极-源极击穿电压、开态漏极电流、漏极-源极开态电阻、零栅-源电流等。该产品具有1000V的漏极电压和34A的漏极电流。

这是APT10025PVR的数据手册，它是一款高压N通道增强型功率MOSFET。该产品具有低JFET效应、高结温、小封装和低导通电阻的特点。

本文件是关于APT10026JFLL的产品信息，包括额定电压、额定电流、漏电流、开关速度等。

该文件介绍了一个型号为APT10026JLL的产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、开关状态漏电流、漏-源开态电阻、零栅极电流等参数。

该文件介绍了N-通道增强模式高压功率MOSFETs的特性和参数。产品型号为APT10026JN，品牌为Power MOS IV®。该MOSFET具有1000V的漏源电压、33A的连续漏极电流和0.26Ω的漏源电阻。

查询APT10026JNR供应商

该文档介绍了一款具有高电压、高电流、低电阻等特点的电力设备，以及其静态电气特性和最大额定值。

这是APT10026L2LL的技术信息，包含其最大额定值、静态电气特性等信息。

该数据表格是关于APT10026RKVR的静态电气特性。

本文档是APT1002RBN和APT1002R4BN两款产品的详细规格信息，包括最大电压、电流、功率、温度范围等

APT1002RCN 1000V 5.5A 2.00Ω是Advanced Power Technology公司生产的一款高压功率MOSFET器件。它具有1000V的最大漏源电压，5.5A的最大连续漏源电流，2.00Ω的最大漏源导通电阻。

这是一份关于APT10030L2VFR的数据手册

该文件介绍了产品的最大额定值和技术信息，包括电压、电流、功率等参数。同时提供了产品的静态电特性，如漏电流、门极电压和漏极电流等。

本文件是关于APT10035的产品信息，包括特性、最大额定值、静电特性等。

此数据表为APT10035JFLL的数据表，详细列出了其特点特性。

该文件介绍了一款型号为APT10035JLL的产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、导通电流、漏-源导通电阻、零栅压漏电流等参数。

该文件介绍了一种产品的特点和特性，包括漏极-源极击穿电压、漏极-源极导通电阻、零栅压漏极电流、栅-源泄漏电流和栅压门限电压等。