LOWRANCE Radar & RIM 200 Radar Interface Module Installation Instructions 该手册介绍了低rance RIM 200 雷达接口模块的安装说明
ATC ATS477 说明书(1) ATS477是Anachip公司生产的一款单相霍尔效应锁存器，集成了霍尔传感器和输出驱动器，用于无刷直流电机的电子换向。该器件包括用于磁场感应的片上霍尔电压发生器，用于放大霍尔电压的误差放大器，用于提供开关滞后以消除噪声的比较器，用于吸收和驱动大电流负载的双向驱动器，以及提供与旋转速度成比例的信号的频率发生器(FG)。内部带隙调节器用于为内部电路提供温度补偿偏置，并允许宽的操作电源电压范围。内置保护电路可防止过电压、过电流和过热。
LOWRANCE X100C & X105C DF Fish-finding & Depth Sounding Sonars Installation and Operation Instructions 本手册介绍了X100C、X105C DF鱼探仪和测深仪的安装和操作方法。
LOWRANCE X102C & X107CDF Fish-finding & Depth Sounding Sonars Operation Instructions 本手册介绍了低ranceX102C和X107CDF鱼探仪和深度声纳的功能和规格。它还解释了声纳的工作原理，并提供了安装和使用手册中的说明。
LOWRANCE X125, X126DF, X135, X136DF Fish-finding & Depth Sounding Sonars Operation Instruction 本手册介绍了Lowrance X125、X126DF、X135、X136DF鱼探仪的功能和规格，以及安装和使用说明。
FAIRCHILD FCP380N60 / FCPF380N60 说明书 FCP380N60 / FCPF380N60 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款 N-Channel MOSFET，具有 650V @TJ = 150°C 的最大额定电压，最大 RDS(on) = 380mΩ 的导通电阻，极低的栅极电荷（典型 Qg = 30nC）和低有效输出电容（典型 Coss.eff = 95pF）。
FAIRCHILD FCP36N60N 说明书 FCP36N60N N-Channel MOSFET是一款600V、36A、90mΩ的SupreMOSTM MOSFET。它具有RDS(on) = 81mΩ (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A、超低栅极电荷（典型值Qg = 86nC）、低有效输出电容和100%的雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FCP22N60N / FCPF22N60NT 说明书 FCP22N60N / FCPF22N60NT N-Channel MOSFET是一款高压超级结MOSFET，具有超低栅极电荷和低有效输出电容，适用于PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源应用。
FAIRCHILD FCP190N60 / FCPF190N60 说明书 FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET 是一款由美国飞利浦半导体公司生产的 600V N 沟道 MOSFET 器件，其最大漏源电压为 600V，最大栅源电压为 ±20V。该器件的额定漏源电流为 20.2A，在 100°C 工作时最大漏源电流为 12.7A。该器件支持脉冲工作，最大脉冲漏源电流可达 60.6A。该器件还支持雪崩击穿，最大雪崩能量为 400mJ，最大雪崩电流为 4A。
FAIRCHILD FCP16N60N / FCPF16N60NT 说明书 FCP16N60N/FCPF16N60NT N-Channel MOSFET是一款600V、16A、0.170Ω的超低阻抗功率MOSFET。
FAIRCHILD FCP13N60N / FCPF13N60NT 说明书 FCP13N60N / FCPF13N60NT N-Channel MOSFET，采用深沟填充工艺，具有低RDS(on)、超低栅极电荷、低有效输出电容等特性，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FCP11N60N / FCPF11N60NT 说明书 该文件介绍了 Fairchild 公司的 SupreMOS TM FCP11N60N / FCPF11N60NT N-Channel MOSFET 产品的特点和特性，包括最大电压、最大电流、低电阻等。
FAIRCHILD FCP11N60F/FCPF11N60F 说明书 FCP11N60F/FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET。它具有低导通电阻（Typ. RDS(on) = 0.32Ω）、快速恢复时间（trr = 120ns）、超低栅极电荷（typ. Qg = 40nC）、低有效输出电容（typ. Cosseff.=95pF）等特点，非常适用于各种AC/DC电源转换。
FAIRCHILD FCI7N60 说明书 FCI7N60 600V N-Channel MOSFET 是一款由美国Fairchild公司研发的新型高压MOSFET，具有 650V@TJ = 150°C、典型RDS(on) = 0.53Ω、超低栅极电荷（典型Qg = 25nC）和低有效输出电容（典型Cosseff. = 60pF）等特点。
