FAIRCHILD 2N7002DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002DW是一种双N沟道增强模式场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速切换速度、低输入/输出泄漏等特点。它采用超小尺寸表面贴装封装，符合无铅/ROHS标准。
FAIRCHILD 2N7002K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002K是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N型增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小型表面贴装封装等特点。
FAIRCHILD 2N7002KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002KW是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电流等特点。该产品采用超小型表面贴装封装，符合无铅/RoHS标准。
FAIRCHILD 2N7002MTF Advanced Small Signal MOSFET 数据手册 2N7002MTF 是一款N通道小信号MOSFET，其最大导通电阻为5.0 欧姆，额定电压为60V，额定电流为200mA。它具有较低的导通电阻、改进的感应坚韧性、快速的开关时间、较低的输入电容、扩展的安全工作区和改进的高温可靠性。
LOWRANCE M68C S/Map & M68C IceMachine 安装使用说明书 该文件是关于Lowrance M68C S/Map和M68C IceMachine鱼探声纳和地图GPS安装和操作说明的。文件介绍了产品的特点和规格，以及声纳和GPS的工作原理。
FAIRCHILD 2N7002W 说明书 2N7002W 是 Fairchild Semiconductor 生产的 N 型增强型场效应晶体管。该晶体管具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。它符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD BSS123 说明书 这份文档介绍了Fairchild公司生产的BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性。这些产品采用了Fairchild专有的高单元密度DMOS技术，旨在最小化导通电阻并提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器和其他开关应用。
FAIRCHILD BSS138 说明书 该文档介绍了Fairchild公司的BSS138 N-Channel增强型场效应晶体管的特点和特性。这些晶体管采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有高单元密度，可最大限度地减小通态电阻，并提供坚固可靠和快速的开关性能。适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器和其他开关应用。
FAIRCHILD BSS138K 说明书 BSS138K是一款N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏等特点。它采用超小的表面贴装封装，符合Pb Free/RoHS标准，具有绿色化合物，ESD抗干扰能力强。
FAIRCHILD BSS138W 说明书 BSS138W是一款N通道逻辑级增强模式场效应晶体管。这款产品具有极低的RDS(ON)，坚固耐用、可靠，具有快速开关性能。它非常适合小型伺服电机控制等低电压、低电流应用。
LOWRANCE MapCreate 6 使用手册 该文件介绍了一种新型的无线充电技术，该技术能够实现在10米范围内对手机进行无线充电。该技术采用了一种新型的无线充电电磁波，该电磁波能够在10米范围内穿透墙壁和障碍物，从而实现在10米范围内对手机进行无线充电。该技术还采用了一种新型的无线充电接收器，该接收器能够在10米范围内接收无线充电电磁波，并将其转换为电能，从而为手机充电。该技术具有很好的市场前景，有望在未来得到广泛应用。
LEI MapCreate 6 Important Additional Information 说明书 这份文件介绍了MapCreate 6.1中新增的一些功能，包括生成自定义地图的最终文件大小估算、自动查找并保存自定义地图和GPS数据到MMC卡，以及对自定义GPS数据文件的加载和保存方式的改进等。
