INFINEON SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW20N60S5是一款大功率MOS管，其最大电压为600V，最大电流为20A，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率等特点。
INFINEON SPP20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书 这份PDF文件是关于SPP20N60S5 Cool MOS™ Power Transistor的数据手册。该产品具有以下特点：新革命性高压技术、全球最佳RDS(on)在TO 220、超低门极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON SPP20N65C3/SPA20N65C3/SPI20N65C3 说明书 SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 是 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 650 V 的 VDS 和 0.19 欧姆的 RDS(on)，是全球 TO-220 封装中 RDS(on) 最低的产品。它还具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力和改进的转移电导性。
INFINEON IKA03N120H2 说明书 IKA03N120H2 是英飞凌公司生产的一款功率半导体器件，该器件采用第二代 HighSpeed 技术，具有软回复、快速恢复 anti-parallel EmCon HE 二极管，适用于电视的水平线偏转。
LINEAR TECHNOLOGY LT6010 说明书 LT6010 是一款低噪声、高精度输入性能、低功耗和具有轨到轨输出摆幅的运算放大器。它具有最大偏移电压35µV、最大输入偏置电流110pA、供电电流135µA、轨到轨输出摆幅和最小电压增益120dB的特点。LT6010适用于热电偶放大器、精密光电二极管放大器、仪器放大器、电池供电的精密系统等应用。
INFINEON SKP10N60A, SKB10N60A SKW10N60A 说明书 SKP10N60A 是英飞凌推出的一款 600V 的 IGBT 模块，最大输出电流为 10A，开关损耗低，额定结温为 150°C，工作温度范围为 -55°C 至 150°C。该产品采用 NPT-technology 工艺，具有很高的可靠性，并与反向并联的 EmCon 二极管配合使用，可实现快速恢复。SKP10N60A 适用于各种电机控制和逆变器应用。
INFINEON BAT165... 说明书 BAT165 是安森美（ON Semiconductor）生产的中功率 AF 肖特基二极管，正向电流为 750 mA，反向电压为 40 V，适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。
ANALOG DEVICES Ultralow Noise VGAs with Preamplifier and Programmable RIN AD8331/AD8332 说明书 AD8331/AD8332是单通道和双通道超低噪声、线性增益可变放大器。它们经过优化，可用于超声波系统，并可用作低噪声可变放大器。
INFINEON SPP21N50C3/SPI21N50C3/SPA21N50C3 说明书(1) 该数据表提供了SPP21N50C3、SPI21N50C3、SPA21N50C3这3款产品的参数信息，包括最大电压、电流、功率、温度等。
VISHAY IL300 说明书 IL300是Vishay半导体生产的一款光电耦合器，具有高增益稳定性和宽带宽。该产品具有0.01%伺服线性度、宽带宽、高增益稳定性、低输入输出电容、低功耗、高隔离电压、高绝缘距离等特点，可用于电源反馈、电压/电流、医疗传感器隔离、音频信号接口、隔离过程控制传感器、数字电话隔离等场合。
MOELLER EC4P-221-MRAX1 说明书 EC4P-221-MRAX1是easy-NET/CANopen模块化控制器，具有24 V DC电源、12个数字输入（其中4个可用作模拟输入）、6个电磁阀（10 A）和1个模拟输入
INFINEON IPA50R140CP 说明书 CoolMOSTM功率晶体管的特点包括TO220封装中全球最佳的RDS(on)，RON x Qg的最低指标，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力等。
INFINEON Preliminary PMA51xx / PMA71xx 说明书 该文件是关于PMA51xx / PMA71xx RF Transmitter IC的初步ROM库函数指南，介绍了该产品的特点特性，包括嵌入式8051微控制器、LF 125kHz ASK接收器和FSK/ASK 315/434/868/915 MHz发射器。
INFINEON SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3 说明书 SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3是一款新的高压技术功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力和改进的传导率。
PANASONIC SPP07N60C3, SPB07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 说明书 SPP07N60C3, SPB07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 Cool MOS™ Power Transistor 是德州仪器公司生产的一款高压大功率场效应晶体管，其特点是具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定值、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、改进的转移电导和150℃的操作温度。
INFINEON SPP08N80C3, SPI08N80C3 SPA08N80C3 说明书 SPP08N80C3, SPI08N80C3 SPA08N80C3 是一款 800 V 低压降、高电流功率晶体管，采用全新的革命性高压技术，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON IPA60R125CP 说明书 IPA60R125CP CoolMOS是世界上最小的N沟道MOSFET，导通电阻为0.125欧姆，具有极低的门控电荷，高峰电流能力，并通过JEDEC认证，符合RoHS标准。
INFINEON SMBT2222A/MMBT2222A 说明书 该文件介绍了2006年发布的SMBT2222A/MMBT2222A型号的NPN硅开关晶体管的特点和特性，包括高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。
