INFINEON SPD06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了SPD06N80C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括高压技术、低RDS(on)、超低门电荷、周期性雪崩和极端dv/dt耐受能力等。
INFINEON ICE2A0565/165/265/365、ICE2B0565/165/265/365、ICE2A0565G、ICE2A0565Z、ICE2A180Z/280Z、ICE2A765I/2B765I 、ICE2A765P2/2B765P2、ICE2A380P2 说明书 该文件介绍了CoolSET™-F2 ICE2A0565/165/265/365 ICE2B0565/165/265/365 ICE2A0565G ICE2A0565Z ICE2A180Z/280Z ICE2A765I/2B765I ICE2A765P2/2B765P2 ICE2A380P2等型号的离线SMPS电流模式控制器，具有集成的650V/800V CoolMOS™。文档中描述了产品的特点和特性。
INFINEON BSP149 SIPMOS Small-Signal-Transistor 说明书 BSP149是一款N沟道、耗尽模式、dv /dt额定、铅免铅封装的小信号晶体管。它具有最大额定值为0.66 A的连续漏极电流，0.53 A的最大漏极电流，2.6 A的脉冲漏极电流，6 kV / µs的反向二极管dv /dt和1.8 W的最大功耗。
INFINEON IPP50R399CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPP50R399CP 是 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RON x Qg 比值、极低的栅极电荷、极端的 dv/dt 等级、高峰值电流能力，无铅环保，符合 RoHS 标准，并符合 JEDEC1) 标准。
INFINEON PW60R075CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPW60R075CP CoolMOSTM Power Transistor是一种低功率损耗的功率晶体管，具有极低的开通电阻和电荷，能够承受高达650V的电压。它适用于服务器和电信设备的硬开关开关模式电源拓扑结构。
INFINEON ASK/FSK Single Conversion Receiver 说明书 本文是关于Wireless Components ASK/FSK Single Conversion Receiver TDA 5210 Version 3.0规格的说明。该产品是一款无线组件，具有用于ASK/FSK单转换的接收功能。文档介绍了该产品的特点和特性。
INFINEON SPU02N60S5/SPD02N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了SPU02N60S5和SPD02N60S5两款Cool MOS™功率晶体管的特点。这两款晶体管采用了新的高压技术，具有超低的栅极电荷、周期性雪崩耐受能力和极端的dv/dt耐受能力。此外，它们还具有超低的等效电容和改进的跨导。该文档提供了这些产品的最大额定值，如持续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
INFINEON SDT02S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书 SDT02S60是一款600V的肖特基二极管，由SiC制成。该二极管无反向恢复，无温度影响，无前向恢复，性能优异。
INFINEON BSP318S SIPMOS Small-Signal-Transistor 说明书 BSP318S是一款N型增强型小信号晶体管，其特点是具有浪涌电流额定值、逻辑电平和dv/dt额定值。产品规格：漏源电压为60V，漏源开关导通电阻为0.09欧姆，连续漏源电流为2.6A。
INFINEON IPI60R125CP CoolMOS Power Transistor 说明书 这份文件介绍了IPI60R125CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等。该产品适用于服务器和电信领域的硬开关拓扑结构。
INFINEON IPW60R199CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPW60R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是英飞凌公司生产的一种功率晶体管。它具有最低的RONxQg, 超低的栅极电荷, 极端的dv/dt额定值, 高峰值电流能力。它符合 JEDEC 标准, 适用于服务器和电信应用。
INFINEON SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 是一款高压大功率 MOS 晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力和改进的传导率。
INFINEON ISP 752 R Smart Power High-Side-Switch 说明书 ISP752R是ST推出的一款高性能高侧开关，适用于工业应用场景。它具有过压保护、过载保护、短路保护、热关断保护、ESD保护、过温保护等功能。
INFINEON SPD18P06P/SPU18P06P SIPMOS Power-Transistor 说明书 该文件介绍了SPD18P06P和SPU18P06P两种型号的功率晶体管的特点和特性，包括P-Channel、增强型、耐电压冲击、耐dv/dt、工作温度等。
INFINEON IPP60R125CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPP60R125CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款具有最低 RONxQg 的功率晶体管，具有超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。该器件符合 JEDEC1) 标准，专为服务器和电信应用而设计。
INFINEON BSO4420 OptiMOS Small-Signal-Transistor 说明书 该文档介绍了BSO4420 OptiMOS小信号晶体管的特点和特性，包括N通道、逻辑电平、非常低的导通电阻RDS（on）、优秀的门电荷×RDS（on）产品（FOM）、耐雪崩和耐dv/dt能力等。该晶体管适用于快速开关应用。
INFINEON IKA10N60T 说明书 IKA10N60T是Infineon的一款IGBT，其特点是Vce(sat)低至1.5V，最大结温为175℃，短路耐受时间为-5µs。该产品适用于洗衣机、空调、逆变器和变频驱动等应用
