infineon SPP11N80C3 SPA11N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该产品是一款高压功率晶体管，最大电压为800V，最大电流为11A。产品具有超低门极电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容和改进的转移特性等特点。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书 SPA-1218是斯坦福微设备公司生产的一款1960MHz 1瓦功率放大器。该器件采用高可靠性GaAs HBT技术，具有高线性度性能，最高可达到+48dBm OIP3。SPA-1218采用低成本的表面贴装塑料封装，适用于PCS系统和多载波应用。
SIRENZA SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices公司的SPA-1218功率放大器，该产品具有高线性性能和可靠性，适用于PCS系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书(1) SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 是 Stanford Microdevices 公司推出的一款高效率 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 放大器，采用低成本的表面安装塑料封装。
Type SPA Solid Polymer Aluminum SMT Capacitors 说明书 CDE SPA系列固态聚合物铝电解电容器具有超低ESR，高纹波电流，长寿命，稳定的电阻率和ESR随温度的变化，广泛应用于电脑主板旁路，开关电源输入/输出滤波，电源去耦，高频噪声消除，笔记本电脑LCD显示器，汽车数字设备，便携式电子设备等
Type SPA Solid Polymer Aluminum SMT Capacitor 说明书 该文件介绍了鼎好（CDE）公司的SPA固体聚合物铝贴片电容器的规格和特性。这些电容器具有超低等效串联电阻（ESR）、高纹波电流、长寿命、稳定的阻抗和ESR与温度特性等特点，适用于主板旁路开关、电源输入/输出滤波、电源消耗、高频噪声抑制、笔记本电脑液晶显示屏、汽车数字设备和便携式电子设备等应用。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 是一款新型高压MOS功率晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、极低的有效电容和改进的传导率。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文件介绍了SPP12N50C3、SPB12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3四种型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐受能力、极端的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导以及不同封装类型和标记。还列出了各种型号的最大额定值，如连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1)(1) SPA-1318是Stanford Microdevices生产的一款功率放大器，具有高效率、高可靠性和高线性度等特点。
SIRENZA SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices的SPA-1318产品，该产品是一种高效率GaAs HBT放大器，具有高线性性能和可降低功耗的特点。适用于W-CDMA系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1) SPA-1318 2150 MHz 1 Watt 功率放大器带有有源偏置
RFMD SPA-1426Z 0.7GHz to 2.2GHz 1W InGaP HBT AMPLIFIER 说明书 SPA-1426Z是RFMD公司推出的0.7GHz至2.2GHz 1W InGaP HBT功率放大器,采用InGaP-on-GaAs器件技术和MOCVD工艺制造,具有高线性度、低成本、高可靠性等特点,适合用作宏微基站设备的驱动级或蜂窝小基站设备的最终输出级
infineon SPP15N60C3, SPI15N60C3 Final data SPA15N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 这是一份关于SPP15N60C3, SPI15N60C3 SPA15N60C3的PDF文件，介绍了该产品的特点特性，包括最大电压、导通电阻、额定电流、脉冲电流、冲击能量、冲击电流、门源电压、功耗、工作温度等。
infineon SPP16N50C3, SPB16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3 说明书 SPP16N50C3, SPB16N50C3, SPI16N50C3, SPA16N50C3是Cool MOS™功率晶体管，其特点是新革命性的高电压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、超低有效电容和改进的传导率。
infineon SPP20N60C2, SPB20N60C2 Final data SPA20N60C2 Cool MOS Power Transistor 说明书 本文介绍了鼎好公司生产的SPP20N60C2, SPB20N60C2和SPA20N60C2三种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新颖的高压技术、全球最佳RDS(on)、超低门电荷、周期雪崩额定、极限dv/dt额定和超低有效电容。
infineon SPP20N60C3, SPB20N60C3 Final data SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该数据表提供了SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3的规格信息，包括最大电压、电流、频率等参数。
