infineon SPW47N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书 SPW47N60CFD是鼎好半导体（Diodes Inc.）推出的一款大功率MOS管。该器件采用了先进的CoolMOSTM技术，具有极低的反向恢复电荷、极低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、极高的峰值电流能力、周期性雪崩额定值等特点。
infineon SPW52N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文档是关于SPW52N50C3的技术资料，主要介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on)、ID、Avalanche energy、EAS、Avalanche current、IAR、Gate source voltage、VGS、Power dissipation、Tj、Tstg、dv/dt、RthJC、RthJA、Tsold等。
HITACHI BB601M Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier 说明书(1)(1) BB601M是HITACHI生产的BBFET型号的MOS FET IC UHF RF Amplifier，具有内置偏置电路、高增益、低噪声和防ESD等特点
HITACHI BB601M Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier 说明书(1) BB601M是HITACHI公司的一种MOS FET IC UHF RF Amplifier，该产品具有高增益、低噪声、内置ESD吸收二极管、小型化封装等特点。
SIEMENS Silicon Variable Capacitance Diode BB 619说明书 该文档介绍了鼎好半导体集团的1 BB 619硅变容二极管的特点和特性，用于调谐VHF电视/录像机调谐器的扩展频段。
SIEMENS Silicon Variable Capacitance Diode BB 619C 说明书 BB 619C 是鼎好的硅可变电容二极管，应用于 VHF TV/VTR 调谐器的扩展频带调谐。
SIEMENS Silicon Variable Capacitance Diode BB 620 说明书 BB 620是鼎好半导体生产的一款硅可变电容二极管，适用于超频道电视/VTR调谐器，最大反向电压为30V，最大正向电流为20mA，工作温度范围为-55℃至+125℃，存储温度范围为-55℃至+150℃，热阻为≤450K/W。
VISHAY BFP67/BFP67R/BFP67W Data Sheet BFP67/BFP67R/BFP67W 是 Vishay Telefunken 生产的一款低噪声小信号放大器，工作频率可达 2 GHz，具有优异的噪声特性和增益性能。
VISHAY BFP92A/BFP92AW Data Sheet BFP92A/BFP92AW是Vishay Telefunken推出的一款NPN Planar RF Transistor，具有高功率增益、低噪声系数和高转换频率等特点，应用于射频放大器等场合。
VISHAY BFP93A / BFP93AW Data Sheet BFP93A / BFP93AW是Vishay生产的一款硅NPN平面射频晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、高转换频率的特点，可应用于射频放大器。
PHILIPS BFQ131 NPN video transistor 说明书 BFQ131是一款NPN视频晶体管，具有低输出电容、高耗散功率和高增益带宽积等特点，适用于彩色显示器的缓冲级和离散视频放大器的预级。
PHILIPS BFQ135 NPN 6.5 GHz wideband transistor 说明书(1) BFQ135 是飞利浦公司生产的一款 NPN 6.5 GHz 宽带晶体管，具有优良的温度特性和可靠性，适用于 MATV 和微波放大器等应用
PHILIPS BFQ135 NPN 6.5 GHz wideband transistor 说明书(1)(1) BFQ135是一款NPN型6.5 GHz宽带晶体管，具有优异的温度特性和可靠性，适用于MATV和微波放大器等应用。
PHILIPS BFQ136 NPN 4 GHz wideband transistor 说明书 BFQ136是飞利浦公司生产的一款NPN 4 GHz宽带晶体管，其特征特性包括极高的输出电压能力，主要用于UHF放大器的最终阶段。
