THSHIBA TC7WG00FU,TC7WG00FK 说明书(1) 该文件介绍了Toshiba的TC7WG00FU和TC7WG00FK型号的产品特点。这两个型号是双2输入与非门，具有高级输出电流、高速操作和广泛的工作电压范围等特性。
THSHIBA TC7WG02FU,TC7WG02FK 说明书 TC7WG02FU/FK是东芝生产的一种双2输入NOR门，具有高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围广、输入端耐5.5V电压、输出端具备3.6V掉电保护功能等特点。
THSHIBA TC7WG04FU,TC7WG04FK 说明书 TC7WG04FU/FK是东芝公司生产的一款三倍三态门电路，工作电压范围为0.9~3.6V，输出电流为±8mA，输入电压范围为-0.5~7V，最大输入电压为5.5V，最大输出电压为3.6V。
THSHIBA TC7WG04FU,TC7WG04FK 说明书 TC7WG04FU/FK是东芝公司生产的一种三极反相器，具有高电平输出电流、高速度操作、操作电压范围广、输入耐压5.5V、输出可耐3.6V等特点。
THSHIBA TC7WG08FC 说明书 TC7WG08FC是TOSHIBA公司生产的一款双2输入与门电路，具有高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围广、输入耐压5.5V、输出3.6V掉电保护等特性。
THSHIBA TC7WG08FU,TC7WG08FK 说明书 TC7WG08FU/FK是东芝公司生产的一款双2输入AND门，具有高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围宽、输入耐压5.5V、输出欠压保护3.6V等特点
THSHIBA TC7WG08FU,TC7WG08FK 说明书 TC7WG08FU/FK是东芝公司生产的一款双2输入AND门，具有高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围宽、输入耐压5.5V、输出带有3.6V下电保护等特点
THSHIBA TC7WG125FC 说明书(1)(1) TC7WG125FC是一款TOSHIBA的CMOS数字集成电路，具有双总线缓冲器和3态输出功能。其特点包括高电平输出电流、高速操作、工作电压范围、5.5V输入容忍和3.6V断电保护输出。
THSHIBA TC7WG125FC 说明书(1) 本文件为东芝TC7WG125FC数据手册，主要介绍了该产品的特点特性，包括高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围、5.5V容忍输入和3.6V电源下保护输出等。
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TC7WG125FU,TC7WG125FK 数据手册 该文件介绍了TC7WG125FU/FK型号的TOSHIBA CMOS数字集成电路硅片单片机，包括其高级输出电流、高速运行、工作电压范围等特性。
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TC7WG125FU,TC7WG125FK 数据手册(1) TC7WG125FU/FK是东芝生产的双总线缓冲器，具有3-STATE输出
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)(1) K4S643233F是由三星生产的一款同步动态随机存储器(SDRAM)，它具有67,108,864位，并组织为4 x 524,288字和32位。该设备支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容，可进行多路复用地址和四路操作。
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1) K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1)(1) K4S643233H是三星公司生产的同步高数据速率动态随机存取存储器，其存储容量为67,108,864位，组织形式为4 x 524,288 words by 32 bits，采用三星高性能CMOS技术制造。该存储器支持3.0V和3.3V电源供电，可在-25℃~70℃和-25℃~85℃的商业温度和扩展温度范围内工作。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1) K4S643233H是由三星公司生产的一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），可在-25°C至85°C的温度范围内工作。该器件具有多种可编程的特性，如操作频率、突发长度和延迟，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
