FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1) 2SK2638-01MR 是 N 沟道 MOS-FET FAP-IIS 系列，最大电压为 450V，电流为 10A，功率为 50W。它具有高速度开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ±30V 保证、重复雪崩额定等特点。它可用于开关电源、UPS、DC-DC 转换器和通用功率放大器。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1)(1) 2SK2638-01MR是鼎好电子的N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无次级击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ± 30V保证、重复雪崩额定等特点，适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器、通用功率放大器等应用。
FUJI 2SK2639-01 Data Sheet(1)(1) 该文件介绍了2SK2639-01 N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。
FUJI 2SK2640-01MR Data Sheet 2SK2640-01MR是鼎好半导体生产的一款N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高耐压等特点，应用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等领域。
FUJI ELECTRIC 2SK2640-01MR DATA SHEET 该文档介绍了2SK2640-01MR N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。该产品适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等应用领域。
THSHIBA TC7WB125FK 说明书 TC7WB125FK是东芝公司生产的一款低通阻、高转速的CMOS2位总线开关，其特点是可以在保持CMOS的低功耗特性的同时，以最小的传输延迟实现连接或断开。当输出使能(OE)为低电平时，开关处于开启状态；当处于高电平时，开关关闭。所有输入都配备保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WB125FK 说明书(1) TC7WB125FK是东芝公司生产的一款低阻抗、高速CMOS 2位总线开关器件，其具有连接和断开连接时延短、功耗低等特点。当输出使能(OE)为低电平时，开关器件工作；当为高电平时，开关器件关闭。所有输入均配备保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WB383FK 说明书 TC7WB383FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线交换开关。该总线开关允许在最小传播延迟下进行连接或断开连接，同时保持CMOS的低功耗特性。当输出使能（OE）为高电平时，开关关闭。当为低电平时，开关打开，并且根据EX端口的逻辑选择是否将2位数据按原样传输到相应的端口，还是将数据通过交换数据线传输到端口。因此，它可以用作2到1多路复用器开关。由于开关通道由N型MOSFET组成，所以高电平输出电压比VCC电平低约1V。所有输入都配有保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
