MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7177A 说明书 MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V3742A 说明书 MGFC36V3742A是内部匹配的GaAs功率FET，专门设计用于3.7-4.2GHz带宽放大器。产品特性包括：内部匹配到50欧姆系统、高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC47A4450 说明书 MGFC47A4450是Mitsubishi Electric Corporation设计的一款功率晶体管，适用于4.4-5.0GHz频段放大器。该晶体管具有高输出功率、高增益和高效率等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC45V5964A 说明书 MGFC45V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC45V4450A 说明书 MGFC45V4450A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC42V5964A 说明书 MGFC42V5964A是一款内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.9 - 6.4 GHz频段放大器而设计。它具有高可靠性，内部匹配到50欧姆系统，具有高输出功率，高功率增益和高功率附加效率。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V5964A 说明书 该文件介绍了一种频率为5.9-6.4 GHz的C波段匹配功率GaAs FET。该器件具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点，适用于5.9-6.4 GHz频段的功放和数字无线通信应用。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V4450A 说明书 MGFC36V4450A是东芝公司推出的一款GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段的功率放大器应用而设计。该产品内部匹配50欧姆系统，具有高输出功率、高增益、高功率附加效率和低失真等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFS45V2527A 说明书 MGFS45V2527A是松下公司生产的一款高功率GaAs晶体管，其特点是内部阻抗匹配，工作频率为2.5-2.7GHz，功率输出可达32W，功率增益高达12dB，电源额定功率为88W，存储温度为-65℃至175℃。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFS45A2527B 说明书 MGFS45A2527B是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为2.5-2.7GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，封装采用密封金属陶瓷包装。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFL45V1920A 说明书 MGFL45V1920A是松下公司生产的一款功率场效应晶体管，适用于1.9-2.0GHz频段功放应用，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真等特点
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0917A 说明书 该文档介绍了MGF0917A GaAs FET，它是一种高功率增益级放大器，适用于UHF频段放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0916A 说明书 MGF0916A 是 L&S BAND / 0.2W SMD non - matched 系列的产品，它的特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0912A 说明书 MGF0912A是一种高功率GaAs FET，用于L/S波段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率。适用于L/S波段功率放大器。
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0904A 说明书 MGF0904A 是用于 UHF 频段功率放大器的 GaAs FET。其特征为高输出功率 (Po=28.0dBm)、高功率增益 (Gp=13.0dB) 和高功率附加效率 (P.A.E =40%)。
MITSUBISHI ELECTRIC MGF4851A 说明书 MGF4851A是三菱电机生产的一款功率型InGaAs HEMT，应用于S到K波段放大器，具有高增益和高P1dB，典型值分别为11dB和14.5dBm。
