三菱 RA07M0608M 说明书 RA07M0608M是一款7瓦RF MOSFET放大器模块，适用于在66至88MHz范围内工作的7.2伏便携式无线电。它具有增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流和宽频带频率范围。
三菱 BA01303 说明书 BA01303是一款采用InGaP HBT技术的三频段（EGSM900/DCS1800/PCS1900）前端模块，适用于手持电话。具有低电压操作、高输出功率、单电源控制终端、带选择开关、发射/接收选择开关等特点。
三菱 MGFK41A4045 说明书 MGFK41A4045是松下公司生产的一款GaAs功率FET，适用于14.0-14.5GHz波段放大器。产品具有高输出功率、高线性功率增益等特点，建议工作条件为VDS=10V、ID=3.0A、RG=50ohm。
三菱 MGFC47A7785 说明书 MGFC47A7785 为高功率 GaAs 晶体管，工作频率为 7.7 GHz 至 8.5 GHz，工作模式为 A 类，功率输出为 47W，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。适用于卫星地球站通信发射机和 VSAT 的固态功率放大器
三菱 MGFC45V3642A 说明书 MGFC45V3642A是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为用于3.6-4.2GHz频段放大器而设计。该设备具有高可靠性，并提供高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。
三菱 MGFC42V7785A 说明书 MGFC42V7785A是内部匹配的GaAs功率FET，专为7.7-8.5 GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属-陶瓷封装，具有高输出功率、高增益和高效率。
MITSUBISHI MGFC39V7785A 说明书 MGFC39V7785A 7.7 – 8.5 GHz BAND / 8W是东芝推出的一款功率FET，它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点，适用于7.7 - 8.5 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。
MITSUBISHI MGFC39V7177A 说明书 MGFC39V7177A是一种C波段的内部匹配功率GaAs FET，特别设计用于7.1-7.7 GHz频段放大器。金属陶瓷封装保证了高可靠性。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率P1dB=8W（典型值），高功率增益GLP=8.0dB（典型值），高功率增益效率P.A.E.=28%（典型值），低失真。适用于7.1-7.7 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。
MITSUBISHI MGFC39V6472A 说明书 MGFC39V6472A是一种内部匹配的高功率GaAs FET，专为在6.4-7.2 GHz频段放大器中使用。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率增益效率和低失真等特点。
MITSUBISHI MGFC39V4450A 说明书 MGFC39V4450A 4.4 – 5.0 GHz BAND / 8W是飞凯半导体生产的一款内部匹配的GaAs功率FET，该器件具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于4.4 – 5.0 GHz 频段功率放大器
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7785A 说明书 MGFC36V7785A是一种用于7.7-8.5 GHz带放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率，高功率增益，高功率添加效率和低失真等特点。
