Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FMBA14 NPN Multi-Chip Darlington Transistor 数据手册
FMBA14是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN多芯片达林顿晶体管，其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极-基极电压为30V，最大发射极-基极电压为10V，最大集电极电流为1.2A，工作温度范围为-55至+150°C。
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FAIRCHILD FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier 数据手册
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier是Fairchild Semiconductor Corporation的一款产品，最大集电极-发射极电压为-150 V，最大集电极-基极电压为-160 V，最大发射极-基极电压为-5.0 V，最大集电流为-600 mA，工作温度范围为-55 ~ 150 °C。
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FAIRCHILD FMBM5551 数据手册
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双管NPN晶体管，其最大功耗为350mW，最大集电极-发射极电压为160V，最大集电极-基极电压为180V，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极电流为600mA。
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FAIRCHILD FMBS2383 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册
FMBS2383是一种NPN型硅晶体管，具有功率放大器特性。其最大集电极-发射极电压为160V，最大频率增益带宽积为120MHz。
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FAIRCHILD FMMT449 NPN Low Saturation Transistor 数据手册
FMMT449 NPN Low Saturation Transistor 是 Fairchild 生产的一种高电流增益、低饱和电压的 NPN 型晶体管。该器件最大集电极电流可达 2A 连续，最大集电极-发射极电压为 50V，最大发射结-基极电压为 30V。
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FAIRCHILD FMMT549 PNP Low Saturation Transistor 数据手册
FMMT549是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP低饱和型晶体管，具有高电流增益和低饱和电压，其集电极电流可达2A。
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FAIRCHILD FSB560 数据手册
该文件是关于FSB560/FSB560A NPN Low Saturation Transistor 的特性介绍，该器件具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达2A
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FAIRCHILD FSB619 NPN Low Saturation Transistor 数据手册
该数据表格列出了 FSB619 的绝对最大额定值、热特性、小信号特性等信息，该器件为 NPN 低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达 3A 连续。
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FAIRCHILD FSB649 NPN Low Saturation Transistor 数据手册
FSB649 SuperSOTTM-3是一种NPN低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，可持续工作电流高达3A。
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FAIRCHILD FSB660/FSB660A PNP Low Saturation Transistor 数据手册
FSB660 / FSB660A是PNP低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，连续集电流可达2A。
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FAIRCHILD FSB749 PNP Low Saturation Transistor 数据手册
FSB749是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP低饱和型晶体管，具有高电流增益和低饱和电压，其集电极电流可达3A
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FAIRCHILD FZT3019 NPN General Purpose Amplifier 数据手册
FZT3019是一款NPN通用功放器件，适用于中等功率放大器和开关电路，要求集电极电流最大为500mA，集电极电压最大为80V。
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FAIRCHILD FZT649 NPN Low Saturation Transistor 说明书
FZT649是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达3A连续
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FAIRCHILD FZT749 PNP Low Saturation Transistor 数据手册
该文件描述了1998年7月发布的FZT749 PNP低饱和晶体管的特点和特性，包括高电流增益、低饱和电压和持续3A的集电极电流。
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FAIRCHILD KSA1015 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册
KSA1015是Fairchild Semiconductor生产的PNP型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为-50V，最大集电极-发射极反向电压为-50V，最大集电极-基极反向电压为-5V，最大集电极电流为-150mA，最大基极电流为-50mA，最大集电极功率耗散为400mW，最大结温为125℃，最小储存温度为-65℃，最大储存温度为150℃。
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FAIRCHILD KSA1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册
本文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSA1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于低频功率放大器，与KSC2859互补。文档提供了晶体管的最大额定电压、最大功耗、最大结温和存储温度等信息，还列出了静态特性、直流电流增益、基极-发射区饱和电压等特性的典型曲线。
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FAIRCHILD KSA1281 数据手册
KSA1281是一款音频功率放大器，具有1W的集电极功耗和3瓦的输出应用。其绝对最大额定值包括集电极功耗、结温、存储温度等。其电特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、基极-发射极饱和电压等。
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FAIRCHILD KSA1298 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册
该文件是关于KSA1298 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电特性的说明。该晶体管具有低频功率放大器的特点，是KSC3265的互补型号。
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FAIRCHILD KSA539 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册
该文件是关于KSA539 PNP Epitaxial Silicon Transistor的绝对最大额定值、电气特性、分类、符号、参数、测试条件、最小值、典型值和最大值等信息。
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