Fairchild说明书大全

FAIRCHILD BCW71 NPN General Purpose Amplifier 数据手册

该文件介绍了BCW71 NPN通用放大器的绝对最大额定值、热特性和电气特性。该器件适用于最大集电流为300mA的通用放大器应用。

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FAIRCHILD BCW89 PNP General Purpose Amplifier 数据手册

BCW89是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种三极管,它的绝对最大额定值为-60V,额定电流为-500mA,工作温度为-55°C~150°C。

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FAIRCHILD BCX17 PNP General Purpose Amplifier 数据手册

BCX17是一款PNP型通用放大器,适用于0.5A电流的通用放大和开关应用。

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FAIRCHILD BCX19 NPN Medium Power Transistor 数据手册

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的BCX19 NPN中功率晶体管的绝对最大额定值、电气特性和热特性。该晶体管设计用于一般用途放大器。

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FAIRCHILD BCX70G NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册

BCX70G是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN型硅晶体管,其最大集电极-发射极反向电压为45V,最大集电极-基极反向电压为45V,最大发射极-基极反向电压为5V,最大集电极电流为200mA,最大集电极功耗为350mW,存储温度范围为-55°C至150°C。

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FAIRCHILD BCX70H NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册(1)

BCX70H是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管,其最大集电极电压为45V,最大集电极-发射极电压为45V,最大发射极-基极电压为5V,最大集电极电流为200mA,最大集电极功耗为350mW,储存温度为-55至150摄氏度。

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FAIRCHILD BCX70H NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册(1)

BCX70J是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN型硅晶体管,其最大绝对额定值为VCBO=45V、VCEO=45V、VEBO=5V、IC=200mA、PC=350mW、TSTG=-55~150°C。

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FAIRCHILD BCX70K NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册

BCX70K是一款NPN外延硅晶体管,具有45V的集电极-基极电压,5V的发射极-基极电压,200mA的集电流和350mW的集电功率耗散。该晶体管具有高的IC和hFE值,低的饱和电压和开启电压,以及较低的噪声系数和输出电容。

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FAIRCHILD BCX71J PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册

该文件介绍了一个产品的特点和特性。

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FAIRCHILD BCX71K PNP General Purpose Amplifier 数据手册

BCX71K 是 Fairchild Semiconductor Corporation 的 PNP 通用放大器。

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FAIRCHILD BSR14 NPN General Purpose Amplifier 数据手册

BSR14 是一款NPN通用放大器,可用作需要集电极电流高达500 mA的中功率放大器和开关。

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FAIRCHILD BSR15 PNP General Purpose Amplifier 数据手册

BSR15是一款PNP型的通用放大器,适用于需要最大集电极电流为500mA的放大器和开关。它的主要特点是集电极-发射极电压为-40V,集电极-基极电压为-60V,发射极-基极电压为-5.0V。该产品适用于工作温度范围为-55℃至+150℃。

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FAIRCHILD BSR16 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册

BSR16是一种PNP外延硅晶体管,具有负载电流高达500mA的通用放大器和开关功能。它适用于各种应用,提供稳定的性能和可靠性。

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FAIRCHILD BSR17A NPN General Purpose Amplifier 数据手册

该文件介绍了BSR17A型号的NPN通用放大器和开关的特点。作为开关时,其动态范围可达到100mA;作为放大器时,其动态范围可达到100MHz。

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FAIRCHILD BSR18A PNP General Purpose Amplifier 数据手册

BSR18A是FAIRCHILD公司生产的PNP型通用放大器,最大集电极-发射极电压40V,集电极-发射极击穿电压40V,集电极-基极击穿电压40V,发射极-基极电压5.0V,最大集电流200mA,最大功耗350mW。

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FAIRCHILD BSS63 PNP General Purpose Amplifier 数据手册

这是关于Fairchild BSS63 PNP General Purpose Amplifier的数据手册,它具有高电压的放大和开关应用。

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FAIRCHILD BSS64 NPN General Purpose Amplifier 数据手册

BSS64是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款NPN通用放大器,其特点是最大集电极-发射极电压为80V,最大集电极-基极电压为120V,最大发射极-基极电压为5.0V,最大集电流为200mA,工作温度范围为-55到+150度C。

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FAIRCHILD BSV52 NPN Switching Transistor 数据手册

该文件介绍了NPN开关晶体管BSV52的绝对最大额定值和热特性。该器件设计用于在集电极电流为10mA至100mA时进行高速饱和开关。具有12V的集电极-发射极电压,20V的集电极-基极电压和5.0V的发射极-基极电压。最大集电极电流为200mA。工作温度范围为-55到+150°C。

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FAIRCHILD Single Channel MicroFET 3x2 Power MOSFET Recommended Land Pattern and Thermal Performance 数据手册

这份应用说明介绍了Fairchild MicroFET™ 3x2封装的引脚排列、安装布局和热性能。

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FAIRCHILD Using Fairchild Semiconductor Dual Cool MOSFETs 数据手册

介绍了Fairchild Semiconductor Dual CoolTM MOSFETs的包装结构,热管理特性,以及使用散热器的应用实例。

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