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TOSHIBA 2SC1169 SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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WS 2SC1172 NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR

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TOSHIBA 2SC1173 SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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USHA 2SC1187 DATA SHEET

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日立 2SC1212, 2SC1212A 说明书

2SC1212和2SC1212A是硅NPN结型晶体管，应用于低频功率放大器。

日立 2SC1212, 2SC1212A 说明书(1)

该文件介绍了2SC1212和2SC1212A的绝对最大额定值和电气特性。这是一种硅NPN外延型低频功放器件，适用于低频功率放大器应用。它具有较高的集电极到基极和集电极到发射极电压额定值，较低的发射极到基极电压额定值，最大1A的集电流，以及最大8W的集电功率耗散。电气特性方面，该器件具有较高的集电极到基极和集电极到发射极击穿电压，较低的集电极截止电流，较高的直流电流传输比，适中的基极到发射极电压和集电极到发射极饱和电压，以及较高的增益带宽积。此外，该文件还提供了器件的分组信息。

日立 2SC1212, 2SC1212A 说明书

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日立 2SC1213, 2SC1213A 说明书

2SC1213, 2SC1213A 是 NPN 型晶体管，主要用于低频放大。

日立 2SC1213, 2SC1213A 说明书(1)

2SC1213, 2SC1213A 是日本三菱电机生产的NPN型硅晶体管，具有低频放大器的应用特性，是2SA673和2SA673A的互补对偶。

MICRO 2SA673A and 2SC1213A SILICON TRANSISTOR

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MICRO 2SA673A and 2SC1213A SILICON TRANSISTOR

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日立 2SC1213A(K) 说明书

2SC1213A(K)是三洋生产的一款NPN型晶体管，其应用场景包括低频放大器和中速开关。其典型封装为TO-92。

2SC121AK SILICON NPN EPITAXIAL

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松下 2SC1215 说明书

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USHA 2SC1222 Transistors

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松下 2SC1226/2SC1226A 说明书

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松下 2SC1226/2SC1226A 说明书

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ASI 2SC1251 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 数据手册

2SC1251是Advanced Semiconductor Inc.生产的一款NPN硅RF功率晶体管，其最大电流为300mA，最大电压为45V，最大功耗为5.3W。该晶体管具有高线性性和高增益，常用于2.0GHz以下的高线性类A放大器中。

ASI 2SC1252 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 数据手册

2SC1252是英飞凌公司生产的一种高频功率晶体管，最高工作频率可达500MHz。该管具有高增益、低噪声、低功耗等特点。

2SC1307 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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