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MITSUBISHI ELECTRIC MGFS48B212 说明书

MGFS48B2122是Mitsubishi Electric Corporation制造的60W推挽型GaAs功率FET，专为2.11-2.17GHz带宽放大器而设计。该产品具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于W-CDMA基站的2.11-2.17GHz带宽功率放大器。

MGFS45V2735是松下公司生产的一款GaAs功率场效应晶体管，具有高输出功率、高增益和高功率附加效率的特点，适用于2.7-3.5GHz频段功率放大器和数字无线电通信等领域。

MGFS45V2527A是松下公司生产的一款高功率GaAs晶体管，其特点是内部阻抗匹配，工作频率为2.5-2.7GHz，功率输出可达32W，功率增益高达12dB，电源额定功率为88W，存储温度为-65℃至175℃。

MGFS45V2325A是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于2.3-2.5 GHz频段放大器。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

该数据表格为 MGFS45V2123A 的参数列表。MGFS45V2123A 是一款内阻匹配的 GaAs 功率 FET，专为 2.1-2.3 GHz 频段放大器而设计。

MGFS45A2527B是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为2.5-2.7GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，封装采用密封金属陶瓷包装。

MGFS44V2735是一款2.7-3.5 GHz带宽放大器专用的内部匹配的GaAs功率FET。采用金属陶瓷封装，具有高可靠性。

MGFL48V1920是一款60W的推挽型GaAs功率FET，特别设计用于1.9-2.0 GHz频段放大器。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFL45V1920A是松下公司生产的一款功率场效应晶体管，适用于1.9-2.0GHz频段功放应用，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真等特点

该产品为MGFS45B2527B，是一款2.5 - 2.7 GHz频段的30W功率GaAs FET，内部阻抗匹配，采用金属陶瓷封装，可保证高可靠性。其特点包括：Class AB工作模式、内置50(ohm)系统匹配、高输出功率、高功率增益、低失真等。

MGF1801BT是N沟道肖特基栅极、中功率GaAs FET，用于S至X波段放大器和振荡器。该器件具有较高的线性功率增益和较高的P1dB。

该文件介绍了MGF1801B高功率GaAs FET，适用于S到X波段放大器和振荡器。具有高线性功率增益和高P1dB。适用于S到X波段中功率放大器和振荡器。

MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET，设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB，适用于微带电路。

该文档介绍了MGF0917A GaAs FET，它是一种高功率增益级放大器，适用于UHF频段放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。

MGF0916A 是 L&S BAND / 0.2W SMD non - matched 系列的产品，它的特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGF0912A是一种高功率GaAs FET，用于L/S波段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率。适用于L/S波段功率放大器。

MGF0906B是N通道肖特基栅极的GaAs FET，设计用于UHF频段放大器。该器件具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。可用于UHF频段功率放大器。

该文件介绍了MGF0905A高功率GaAs FET，它适用于UHF频段放大器，具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率的特点。

MGF0904A 是用于 UHF 频段功率放大器的 GaAs FET。其特征为高输出功率 (Po=28.0dBm)、高功率增益 (Gp=13.0dB) 和高功率附加效率 (P.A.E =40%)。

MGF4851A是三菱电机生产的一款功率型InGaAs HEMT，应用于S到K波段放大器，具有高增益和高P1dB，典型值分别为11dB和14.5dBm。