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TEXAS INSTRUMENTS TMS27C020 262144 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC020 262144 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES 数据手册

TMS27C020系列是262144位8位（2097152位）紫外（UV）可擦除、电可编程只读存储器（EPROM）。TMS27PC020系列是一次编程（OTP）电可编程只读存储器（PROM）。该产品具有262144位8位的存储容量，适用于微处理器系统，并采用高速SNAP！脉冲编程和低功耗CMOS技术。

TEXAS INSTRUMENTS TMS27C256 32768 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC256 32768 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES 数据手册

该数据手册介绍了TMS27C256系列和TMS27PC256系列32768位(262144位)，紫外线(UV)光可擦除，电可编程只读存储器(EPROM)和可编程只读存储器(PROM)。

TEXAS INSTRUMENTS TMS27C240 262144 BY 16-BIT UV ERASABLE TMS27PC240 262144 BY 16-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES 数据手册

TMS27C240是262144位16位(4194304位)，紫外线可擦除，电可编程只读存储器(EPROM)。TMS27PC240是262144位16位(4194304位)，一次可编程(OTP)电可编程只读存储器(PROM)。这些器件使用节能CMOS技术制造，可实现高速度和与MOS和双极性电路的简单接口。所有输入(包括程序数据输入)都可以由74系列TTL电路驱动，而无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路。

TEXAS INSTRUMENTS TMS27C210A 65536 BY 16-BIT UV ERASABLE TMS27PC210A 65536 BY 16-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES 数据手册

该文件介绍了TMS27C210A和TMS27PC210A这两款65536x16位的可擦写和可编程只读存储器的特点。它们支持单一5V电源供应，并与现有的兆位EPROM兼容。具有多种封装方式和TTL兼容的输入/输出。具有高速的SNAP！脉冲编程和节能的CMOS技术。输出缓冲器为3态。无需上拉电阻。低功耗。可选的温度范围选项。

texas instruments TMS27C128 131 072-BIT UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY TMS27PC128 131 072-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY 数据手册

TMS27C128和TMS27PC128是131 072位的可擦写和可编程只读存储器。具有单一5V电源供应、与现有128K MOS ROMs、PROMs和EPROMs兼容、所有输入/输出完全兼容TTL、最大存取/最小周期时间等特点。

TEXAS INSTRUMENTS TMS27C010A 131 072 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC010A 131 072 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES 数据手册

本文介绍了TMS27C010A系列和TMS27PC010A系列产品的特点和特性，包括其封装形式、供电电压、操作兼容性、输出接口、编程方式、功耗、温度范围等。

texas instruments TMS 2708-35 JL TMS 2708-45 JL TMS 27L08-45 JL 1024-WORD 数据手册

TMS27L08是一种存储芯片，具有高速读写和低功耗的特点。它适用于各种电子设备，可以存储大量的数据。

TEXAS INSTRUMENTS TMS27C040 524288 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC040 524288 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS TPS1101, TPS1101Y 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS TPS1100, TPS1100Y 数据手册

TPS1100是一款单P通道增强型MOSFET，适用于3V或5V电源分配，适用于电池供电系统。具有低的rDS(on)值和良好的交流特性，适用于低压开关应用。

TEXAS INSTRUMENTS TPS1100, TPS1100Y 数据手册(1)

TPS1100, TPS1100Y是德州仪器的单P通道增强型MOSFET，该器件经过优化，可在电池供电系统中进行3V或5V电源分配。该器件具有最大VGS(th)为-1.5V和IDS为0.5µA的特点，是低压便携式电池管理系统的理想高侧开关，在该系统中，最大化电池寿命是主要关注点。TPS1100还具有低RDS(on)和出色的交流特性（典型上升时间为10ns），使其成为低压开关应用（如脉冲宽度调制(PWM)控制器或电机/桥驱动器的电源开关）的理想选择。TSSOP(PW)版本具有小尺寸和低高度，并且可以在其他P通道MOSFET无法安装的位置进行安装。这种尺寸优势在板空间紧张且高度限制不允许使用小外形集成电路(SOIC)封装的情况下尤为重要。

TEXAS INSTRUMENTS TPS1100, TPS1100Y 数据手册(2)

该文件介绍了TPS1100PWLE供应商的信息。该产品具有特点特性。

TEXAS INSTRUMENTS TPS1100, TPS1100Y 数据手册(3)

tps1100是ti公司生产的一款单p通道增强型mosfet，该器件采用了ti公司的linbicmos工艺，适用于3v或5v电源管理系统，具有低rDS(on)、低电压和高开关速度等特点

TEXAS INSTRUMENTS TPS1120, TPS1120Y 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS TPS1120, TPS1120Y 数据手册(1)

TPS1120是一款双P通道增强模式MOSFET，采用了低rDS(on)技术，适用于3V或5V电源分配，主要用于电池供电系统中的高侧开关。具有最大VGS(th)为-1.5V和IDSS仅为0.5µA的特点，非常适合低压便携式电池管理系统，能够最大程度地延长电池寿命。具备内置的2kV ESD保护电路，可应对静电放电（ESD）风险。适用于笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、手机、条形码扫描仪和PCMCIA卡等终端设备。

TEXAS INSTRUMENTS TPS1120, TPS1120Y 数据手册(2)

该文件是TPS1120/TPS1120Y供应商的查询页面

TEXAS INSTRUMENTS TPS1110, TPS1110Y 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS TPS1101, TPS1101Y 数据手册(1)

TPS1101是一种单通道低rDS(on)增强型P沟道MOSFET。该器件通过Texas Instruments LinBiCMOS处理器进行优化，可在3V或5V电源分配中提供电池供电系统。TPS1101具有最大-1.5V的VGS(th)和仅0.5µA的IDSS，是低电压便携式电池管理系统中理想的高侧开关，最大限度地延长电池寿命。TPS1101的低rDS(on)和优异的交流特性（上升时间为5.5ns，典型值）使其成为低电压开关应用的合理选择，例如用于脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥驱动器的电源开关。超薄的TSSOP（PW）封装版本适用于高度受限的位置，其他P沟道MOSFET无法适应这些位置。该尺寸优势在不允许小外形集成电路（SOIC）封装的板高度限制的应用中尤为重要。这些应用包括笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、蜂窝电话和PCMCIA卡。

TEXAS INSTRUMENTS TPS2010, TPS2011, TPS2012, TPS2013 数据手册

TPS201x系列是一种用于重载电容负载和短路的应用的电源分配开关。高侧开关是一个95mΩ N通道MOSFET。内部驱动器和电荷泵设计用于控制电源开关的上升时间和下降时间，以最小化开关期间的电流浪涌。电荷泵在100kHz工作，不需要外部元件，并允许从2.7V的电源进行操作。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时，TPS201x通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平。连续的大过载...

TEXAS INSTRUMENTS TPS2010, TPS2011, TPS2012, TPS2013 POWER-DISTRIBUTION 数据手册

TPS201xA系列是一种用于重型电容负载和短路场景的电源分配开关。该系列产品采用50-mΩ N沟道MOSFET高侧功率开关，可通过5V逻辑和3V逻辑进行控制。内部电荷泵提供门极驱动，控制开关的上升时间和下降时间，以最小化切换过程中的电流浪涌。过载和短路时，TPS201xA将输出电流限制在安全水平，并切换到恒流模式。当连续大负载和短路增加开关的功耗，导致结温上升时，该开关具有短路和热保护功能。