ST TDE1897R TDE1898R 数据手册 TDE1897R/TDE1898R是一种单片多功率BCD技术的智能功率开关，用于驱动感性或阻性负载。具有内部限流、热关断、开路保护等电气保护功能，适用于工业应用。
ST TDE1737 数据手册 TDE1737是一种单片放大器，设计用于高电流和高电压应用，特别用于驱动灯、继电器和步进电机的控制。该设备具有高输出电流、可调节的短路保护、具有滞后特性的热保护，以避免中间输出电平，以及大范围的供电电压：+8V至+45V。
ST TDE1798 数据手册 TDE1798是一款高输出电流的智能电源开关，输出电流可达500mA，能够短路保护，VCC电压最大可达35V，并具有内部热保护、外部复位和同步能力。开路接地保护，输出电压可以低于接地，以实现快速的磁性负载去磁。输入电压可以高于VCC，兼容性高。输入电压范围大，可从6V到35V。没有外部钳位二极管，便于快速去磁，去磁能量可达150mJ。多器件可并联使用。
ST TD310 数据手册 TD310是一款用于驱动一、两个或三个功率IGBT/MOS和脉冲变压器的驱动器。它具有电流感应比较器，可以在超过电流时禁用输出驱动器，并通过报警输出信号通知控制器。此外，TD310还包括一个未绑定的运算放大器，可用于电流测量或其他通用用途。可编程的欠压锁定和待机模式使TD310适用于各种环境和应用。
ST TD351 数据手册 TD351 是ST公司生产的一款IGBT/MOSFET驱动器，具有1.7A的吸收电流能力，1.3A的输出电流能力，支持脉冲变压器和光耦输入，具有UVLO保护和2kV的ESD保护
ST TDE1897C TDE1898C 数据手册 TDE1897C/TDE1898C是一款用于驱动感性或电阻负载的多功能BCD技术单片智能功率开关。内置的钳位二极管可实现感性负载的快速去磁。诊断功能可为CPU提供反馈，广泛采用电气保护功能使该器件具有固有的不可摧毁性，非常适合通用工业应用。
ST TD220/221 数据手册 TD220/221是针对微控制器离线应用的解决方案。它包括一个用于电源生成的两点稳压器，一个用于微控制器电源的3.3V (TD220) 或 5V (TD221) 线性稳压器，以及一个 MOSFET 驱动器。
ST TDE1747 数据手册 TDE1747是一款用于高电流和高电压应用的单片比较器，特别设计用于驱动灯、继电器和步进电机。它具有开路保护、高输出电流、可调的对地短路保护、带有滞后的热保护以避免中间输出电平、大的供电电压范围等特点。
ST TD352 数据手册 TD352是ST的最新一代IGBT/MOSFET门控驱动器，具有1.7A的吸入电流和1.3A的输出电流。它具有主动Miller钳功能、去饱和检测、可调延迟启动、UVLO保护和2kV ESD保护。它适用于1200V三相逆变器、电机控制系统和UPS等应用。
ST TDE1708DFT 数据手册 TDE1708DFT智能功率开关具有低侧或高侧开关配置、6V至48V的电源电压范围、过载和短路保护、内部电压钳位、电源和输出反转保护、热关断、GND和VS开线保护、可调延迟开关开启、指示状态LED驱动器、+5V稳压辅助电压、高突发免疫性
ST TD350E 数据手册 TD350E是一款先进的IGBT/MOSFET驱动器，具有1.5A源/2.3A汇极驱动电流，主动米勒夹持功能，可调节级别和延迟的两级关断功能，失饱和检测，故障状态输出，负载驱动能力，与脉冲变压器或光耦兼容的输入，易于驱动的汇极和源极输出，欠压锁定保护，2kV ESD保护。适用于1200V，三相逆变器，电机控制和UPS系统。
SINYORK CO., LTD. Mini size of Discrete semiconductor elements 数据表 该文件介绍了离散半导体元件的各种规格和封装类型，包括二极管、MOSFET、稳压器、晶体管等。还包括温度范围、发布日期和一些其他工业规格。
