ST STP20N20/STF20N20/STD20N20 数据手册 STMicroelectronics的STP20N20 STF20N20 - STD20N20是一款N通道200V的MOSFET，具有低栅极电荷和出色的dv/dt能力。它适用于高效隔离的DC-DC转换器中作为主开关。
ST STD9NM60N/STD9NM60N-1/STP9NM60N/STF9NM60N 数据手册 该文件介绍了2005年5月1/9 STF24NF12 N-CHANNEL 120V - 0.070Ω - 24A - TO-220FP低门电荷STripFET™II MOSFET的特点和特性。
ST STQ2HNK60ZR-AP/STF2HNK60Z/STD2HNK60Z-1 数据手册 这是ST发布的STQ2HNK60ZR-AP，STF2HNK60Z，STD2HNK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 4.4Ω - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET的数据手册。该系列产品具有极高的dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新的高电压基准，门极电荷最小化等特点。
ST STF2NK60Z/STQ2NK60ZR-AP/STP2NK60Z/STD2NK60Z-1 数据手册 STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2Ω - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET 是ST公司生产的一款高性能MOSFET器件，其特点是RON典型值为7.2Ω，极高dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新一代高压基准，栅极电荷最小化。适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源(SMPS)、低功率、镇流器、CFL(紧凑型荧光灯)等应用。
ST STP3NK80Z/STF3NK80Z/STD3NK80Z/STD3NK80Z-1 数据手册 该文件介绍了STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3.8Ω - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET的特点特性。产品具有极高的dv/dt能力，100%经过雪崩测试，门电荷最小化，本征电容非常低，制造重复性非常好。
ST STP6NK50Z/STF6NK50Z/STD6NK50Z 数据手册 STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93Ω - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET是ST公司推出的一款高性能MOSFET器件，其典型RDS(on)为0.93Ω，非常适合于对开关速度要求较高的高电流应用，如开关电源、适配器和PFC等。
ST STEVAL-IFS005V1 Metal body proximity detector based on the TDA0161 数据手册 该文件是关于STEVAL-IFS005V1的介绍，它是一款基于TDA0161的金属体接近探测器，具有10mA输出电流、+4V到+35V的供电电压和10MHz的振荡器频率
ST STEVAL-IFS004V1 Metal body proximity detector based on the TDE0160 数据手册 这份文件介绍了基于TDE0160的金属体接近检测器的特点和特性。
ST STEVAL-TDR007V1 3 stages RF power amplifier demonstration board using: PD57002-E, PD57018-E, 2 x PD57060-E 数据手册 STEVAL-TDR007V1是ST公司生产的一款200W RF功率放大器，工作频率为1030MHz，供电电压为36V，最大输出功率为200W，输入功率为23dBm，谐波<-45dBc，上升和下降时间<100ns。
ST STEVAL-TDR005V1 RF power amplifier using 2 x SD2943 N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 数据手册 STEVAL-TDR005V1是一款射频宽带功率放大器，工作频率为1.8-54MHz，输出功率为450W，输入功率10W，效率为55%-76%。
ST STEVAL-TDR001V1 2 stage RF power amp: PD84001 + PD54003L-E + LPF N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 数据手册 STEVAL-TDR001V1是一款两级射频功率放大器，包括用于谐波抑制的低通输出滤波器，专为便携式双向UHF无线电通信设计。其特点包括优异的热稳定性、频率范围为380-512 MHz、供电电压为7.2 V、输出功率为4 W、电流小于1.6 A、输入功率小于10 dBm、谐波水平小于-70 dBc、负载失配20:1、最大VAPC为5 V、BEO无放大器、符合RoHS标准。
ST STEVAL-TDR009V1 RF power amplifier demonstration board using: 2 x SD2932 N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 数据手册 这是一款RF功率放大器电路板，使用2 x SD2932 N通道增强型横向MOSFET。该电路板特点包括:频率为87.5-108MHz，供电电压为48V，输出功率为650W，增益为19.5dB，效率为73%，谐波小于-36dBc，增益平坦度为±0.5dB。
