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三菱 MGFK38A3745 说明书

该文档介绍了一款13.75-14.50 GHz频段的内部匹配功率GaAs场效应晶体管，适用于功放器。其具有高输出功率、高线性功率增益和高功率增益效率等特点。

MGFC47A7785 为高功率 GaAs 晶体管，工作频率为 7.7 GHz 至 8.5 GHz，工作模式为 A 类，功率输出为 47W，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。适用于卫星地球站通信发射机和 VSAT 的固态功率放大器

MGFC42V7785A是内部匹配的GaAs功率FET，专为7.7-8.5 GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属-陶瓷封装，具有高输出功率、高增益和高效率。

5.8 ~ 6.75GHz频带的16W内置匹配GaAs FET

MGFC39V7785A 7.7 – 8.5 GHz BAND / 8W是东芝推出的一款功率FET，它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点，适用于7.7 - 8.5 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。

MGFC39V5867是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75 GHz频段放大器设计。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

MGFC39V5258是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.2-5.8 GHz频段放大器设计。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC38V6472是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于6.4-7.2 GHz频段放大器。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

MGFC38V5867是内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.8–6.75 GHz带宽放大器而设计。金属陶瓷封装保证了高的可靠性。

MGFC36V7785A是一种用于7.7-8.5 GHz带放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率，高功率增益，高功率添加效率和低失真等特点。

MGFC36V5867是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75GHz频段放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装，可满足Class A工作条件。

MGFC47V5864是安森美公司推出的5.8-6.4GHz带内功率晶体管，具有高输出功率、高功率增益和高效率特性，可广泛用于卫星地面站通讯发射机和VSAT。

MGFC42V5258是三菱电机生产的一款GaAs功率场效应管，适用于5.2-5.8GHz频段的功率放大器应用场景。

MGFC40V5258是一款用于5.2-5.8GHz频段放大器的内阻匹配GaAs功率场效晶体管，具有高可靠性。

MGFC36V5258 是一款 5.2 – 5.8 GHz 带内 4W 的功率 GaAs FET，专为 5.2 – 5.8 GHz 带内放大器而设计。金属-陶瓷封装保证了其高可靠性。

MGFS48V2527是三菱电机生产的一款60W功率增益为10dB的GaAs功率晶体管，应用于2.5-2.7GHz频段功率放大器中。

MGFS48B2122是Mitsubishi Electric Corporation制造的60W推挽型GaAs功率FET，专为2.11-2.17GHz带宽放大器而设计。该产品具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于W-CDMA基站的2.11-2.17GHz带宽功率放大器。

MGFL48V1920是一款60W的推挽型GaAs功率FET，特别设计用于1.9-2.0 GHz频段放大器。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGF1801BT是N沟道肖特基栅极、中功率GaAs FET，用于S至X波段放大器和振荡器。该器件具有较高的线性功率增益和较高的P1dB。

该文件介绍了MGF1801B高功率GaAs FET，适用于S到X波段放大器和振荡器。具有高线性功率增益和高P1dB。适用于S到X波段中功率放大器和振荡器。