MITSUBISHI ELECTRIC AN-UHF-083-D 说明书 该文档介绍了RA30H4552M1和RA30H4047M1的静电敏感性测试结果，说明了这两款产品使用MOS FET器件，相比硅双极器件具有较低的耐浪涌能力，并且在受到静电或浪涌时可能会烧毁。
MITSUBISHI ELECTRIC AN-UHF-108-A 说明书 该文档是一份关于硅射频功率半导体器件的应用说明，介绍了RD02MUS1B单级放大器在400到470MHz频率范围内的射频性能。文档中包含了频率特性、Pin vs. Pout特性、Pout vs. Vdd特性和Pout vs. Idq特性等数据。
MITSUBISHI ELECTRIC AN-VHF-048 说明书 这份RD35HUF2单级放大器与f=135-175MHz评估板的应用说明介绍了评估板的特点，包括频率范围、输入功率、输出功率、静态电流、工作电流等。
MITSUBISHI ELECTRIC RD01MUS2B single-stage amplifier with f=890-941MHz evaluation board 说明书 该文件是关于RD01MUS2B单级放大器的评估板，频率范围为890-941MHz，具有典型的输入功率30mW和输出功率1.5W等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR RF Characteristic of MGF0913A in 800 to 900 MHz-band 说明书 本文档介绍了MITSUBISHI电气公司生产的MGF0913A的射频特性。测试条件为W-CDMA调制信号，频率范围为800至900MHz。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0915A RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 该应用笔记展示了MGF0915.A的射频特性数据，包括CW测试、ACLR测试和IMD测试的结果。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0921A RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 该文档展示了MGF0921A的射频特性数据，包括频率范围、功率输出、输入功率等参数。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0951P RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 本应用说明书介绍了MGF0951P的射频特性数据
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1800HCB-34N 说明书 CM1800HCB-34N是三菱电机公司生产的高压绝缘栅双极晶体管模块，额定电流为1800A，额定电压为1700V，采用AISiC基板，具有Trench Gate IGBT和软反向恢复二极管。该模块主要应用于牵引驱动、高可靠性变换器/逆变器和DC斩波器。
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800DZB-34N 说明书 CM800DZB-34N是三菱电机生产的高压绝缘栅双极型晶体管模块，该模块采用2元素封装，采用CSTBTTM软恢复二极管，主要应用于牵引驱动、高可靠性转换器/逆变器、DC斩波器等领域。
MITSUBISHI PHOTO DIODES PD7XX7 SERIES InGaAs PIN PHOTO DIODES PD7087, PD708C7, PD7937, PD793D7 说明书 该文件介绍了MITSUBISHI PHOTO DIODES PD7XX7系列InGaAs PIN光电二极管的特点和特性。该系列产品适用于接收波长范围为1000到1600nm的光。它具有高速响应和高量子效率，适用于光纤通信系统的光接收元件。
MITSUBISHI PHOTO DIODES PD8042, PD8932, PD893D2 PD8XX2 SERIES InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODES 说明书 PD8XX2系列是InGaAs雪崩光电二极管，具有φ50µm的敏感面积。PD8XX2适用于接收波长范围为1000到1600nm的光。该光电二极管具有高速响应和高灵敏度，适用于光纤通信系统的光接收元件。
MITSUBISHI LASER DIODES PD7088,PD708C8 PD7XX8 SERIES InGaAs PIN PHOTO DIODES 说明书 PD7088, PD708C8系列是InGaAs探测器，其光敏面积为φ80µm，适用于接收1000至1600nm波段的光。该探测器具有高响应速度和高量子效率，适用于光纤通信系统的光接收元件。
