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ON Semiconductor NTP85N03, NTB85N03 数据手册

NTP85N03, NTB85N03 是一种 N 沟道 MOSFET，额定电压为 28 V，额定电流为 85 A，用于低压、高速度开关应用，如电源、转换器和电动机控制器以及桥式电路。

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FQH8N100C是Fairchild生产的一款1000V N通道MOSFET，具有8A电流、1.45欧姆的导通电阻、低栅极电荷和Crss，以及快速开关、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。

这份文件介绍了FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有很低的导通电阻、出色的开关性能和耐高能脉冲的能力。它适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

FQD2N80 / FQU2N80 是Fairchild生产的800V N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、高频开关、100%雪崩测试等特点。

这份文档介绍了FQD1N80 / FQU1N80型号的800V N-沟道MOSFET产品，采用Fairchild公司的专有技术生产。产品具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，非常适用于高效开关电源。

FQP24N08是一款80V N通道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效率开关和DC电机控制。

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FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的800V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲和改进的dv/dt能力。

这份文档介绍了FQP4N80 QFET TM FQP4N80 800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速切换等特点，适用于高效率开关电源。

本文档介绍了FQP6N80C/FQPF6N80C这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能量脉冲下的耐受能力等。该产品适用于高效开关电源。

这份文件介绍了FQP7N80C/FQPF7N80C型号的800V N沟道MOSFET产品。这些产品采用了Fairchild公司自有的DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲耐受能力等特点，非常适用于高效率开关电源。