PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-800A/B 数据手册 这份文档介绍了飞利浦半导体公司的PowerMOS晶体管BUK454-800A/B的产品规格。该晶体管是一种N沟道增强型功率晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途的开关电阻应用。其特点包括最大800V的漏极-源极电压、最大2.4A的漏极电流、最大85W的总功耗和6-8Ω的漏极-源极开态电阻。
PHILIPS BLF0810-180; BLF0810S-180 Base station LDMOS transistors 数据手册 BLF0810-180和BLF0810S-180是基站LDMOS晶体管，适用于频率为800至1000 MHz的基站应用。它们具有良好的热稳定性，易于功率控制，高功率增益和优异的耐用性。
PHILIPS BLF0810-90; BLF0810S-90 Base station LDMOS transistors 数据手册 BLF0810-90和BLF0810S-90是飞利浦半导体生产的LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、卓越的坚固性、底部源极消除了直流隔离器，减少了共模电感，并设计用于宽带工作（750MHz至1GHz）
PHILIPS BLF1048 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1048是一款UHF功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制和良好的耐用性。它适用于UHF频率范围的通信发射机应用。
PHILIPS BLF1820-70 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1820-70是飞利浦推出的一款70W LDMOS功率晶体管，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及1800到2000MHz频率范围的多载波应用。
PHILIPS BLF1820-90 UHF power LDMOS transistor 数据手册 该文件介绍了BLF1820-90 UHF功率LDMOS晶体管的特点和特性，包括输出功率、增益、效率、抑制等性能指标，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及多载波应用。
PHILIPS BLF1822-10 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1822-10是一款UHF功率LDMOS晶体管，特点包括：输出功率为10W，增益为18.5dB至900MHz，13.5dB至2200MHz，效率为39%至900MHz，34%至2200MHz，dim为-31dBc至900MHz，-28dBc至2200MHz等。
PHILIPS BLF2048 数据手册 BLF2048是一种UHF推挽功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、出色的耐用性等特点，适用于宽带操作（HF到2.2 GHz）。主要应用于1800到2200 MHz频率范围内的PCN和PCS应用的共源类AB操作。
PHILIPS BLF278 数据手册 BLF278是Philips Semiconductors生产的一款VHF推挽功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性和优异的可靠性。主要应用于VHF频率范围的广播发射机。
PHILIPS BLF368 数据手册 BLF368是菲利浦半导体生产的一款VHF推挽功率MOS晶体管，具备高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性等特点，采用4引脚SOT262A1平衡法兰封装，具有两只陶瓷帽。
NXP BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 18 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200 是 NXP 公司生产的 200 W LDMOS 功率晶体管，用于 800 MHz 到 1000 MHz 频率的基站应用。
NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200R是NXP推出的一款200W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用，频率范围为800MHz至1000MHz。
