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本应用说明介绍了一种高效、经济的 RTL-GC/FID 方法，用于测定婴儿配方中含有的脂肪酸。脂肪酸经乙酰氯甲醇甲酯化方法转化为 FAMEs。Agilent J&W HP-88 毛细 GC 柱可为复杂 FAMEs 提供优异的分离效果，包括顺反异构体分离。

MAX786是一款系统工程设计的电源控制器，用于笔记本电脑或类似的、电池供电的设备。它提供两个高性能的降压（降压）脉冲宽度调制器（PWM）用于+3.3V和+5V。其他功能包括用于CMOS/RTC备份的双低压降、微功率线性稳压器，以及两个精密的低电压检测比较器。高效率（95% at 2A; greater than 80% at loads from 5mA to 3A）通过同步整流和PWM操作在负载重时实现，在负载轻时通过Idle ModeTM操作实现。MAX786使用物理上较小的电容元件，这要归功于高工作频率（300kHz/200kHz）和一种新的电流模式PWM架构，该架构允许输出滤波电容器的大小仅为每安培负载30µF。线路和负载瞬态响应非常出色，高60kHz单位增益交叉频率允许在四到五个时钟周期内校正输出瞬态。通过高水平的集成和使用低成本的、外部N通道MOSFET，实现了低系统成本。其他特点包括在中到重负载下进行低噪音、固定频率PWM操作，以及用于对噪音敏感的应用（例如电磁笔式系统和通信计算机）的可同步振荡器。MAX786是一款单片BiCMOS IC，可在精细间距的表面贴装SSOP封装中使用。

MAX8550/MAX8551是一种集成同步降压PWM控制器的芯片，用于生成VDDQ，集成了具有源和汇LDO线性稳压器来生成VTT，还有10mA参考输出缓冲器来生成VTTR。该芯片通过驱动两个外部N沟道MOSFET来生成输出电压，输入电压范围为2V至28V，输出电流可高达15A。LDO可以连续或峰值工作，最大可达1.5A和3A。LDO输出和10mA参考缓冲器输出都可以跟踪REFIN电压。该芯片非常适用于台式机、笔记本和图形卡等DDR内存应用。

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MBM29F002TC-55/-70/-90/MBM29F002BC-55/-70/-90是富士通半导体发布的一款2M（256K×8）BIT的CMOS闪存芯片，支持JEDEC-standard命令，兼容单电源供电Flash，具有最低100,000次写/擦除周期和55ns最大访问时间

MBM29LV160TE/BE是富士通半导体生产的一款16Mbit的CMOS闪存芯片，支持3.0V读、编程和擦除，兼容JEDEC标准命令，使用与E2PROM相同的软件命令，兼容JEDEC标准世界范围内的引脚，封装有48脚TSOP、48脚CSOP和48球FBGA，具有1,000,000次的编程/擦除周期，最高访问时间为70ns，支持扇区擦除，可同时擦除任意组合的扇区，还支持全芯片擦除。

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本手册涵盖了MC68LC302低功耗集成多协议处理器的详细信息，包括功能、指令集、寄存器、接口和应用。

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MC9S08RC8/16/32/60 MC9S08RD8/16/32/60 MC9S08RE8/16/32/60 MC9S08RG32/60 数据手册

MCR218-6FP / 8FP / 10FP 是摩托罗拉公司生产的逆阻晶闸管，主要应用于半波交流控制应用，如电机控制、加热控制和电源夹器电路。

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该数据手册详细介绍了82C37A CMOS高性能可编程DMA控制器的功能特性。该控制器兼容NMOS 8237A，具有四个独立的可屏蔽通道，并支持自动初始化。该控制器可串联连接任意数量的通道，并支持高达4MBytes/秒的数据传输速率（使用8MHz时钟）和高达6.25MBytes/秒的数据传输速率（使用12.5MHz时钟）。该控制器还支持内存到内存的数据传输，并采用静态CMOS设计，可实现低功耗（电流消耗为10µA最大，2mA/MHz最大）。该控制器完全兼容TTL和CMOS，内部寄存器可从软件中读取。

MSC80185是一种封装密封的NPN功率晶体管，具有独特的矩阵结构。该器件专为A类线性应用而设计，能在1.0 dB压缩点提供高增益和高输出功率。

该文件介绍了AOL1418型号的N沟道增强型场效应晶体管的特点和特性，包括工作电压、漏极电流、导通电阻等参数，适用于CPU核心电源转换中的高侧开关。

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