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intersil ISL8483E, ISL8485E 数据手册

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IXYS IXTH 88N15 Data Sheet

这是一款IXTH 88N15 高电流功率MOSFET的数据表，其最大电压为150V，最大电流为88A，最小导通电阻为22mΩ

Numonyx Wireless Flash Memory (W18) Datasheet

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Samsung K6E0808C1E-C/E-L, K6E0808C1E-I/E-P Data Sheet

这是一款32Kx8位高性能CMOS静态RAM，工作电压为5V，适用于商用和工业温度范围。

SAMSUNG KM68B261A BiCMOS SRAM 数据手册

KM68B261A是一种262,144位高速静态随机存取存储器，采用32,768字8位的组织方式。该产品具有快速访问时间、低功耗待机、单一5V电源供应等特点，适用于高密度高速系统应用。

OPTEK KT830 - KT840 SERIES SLOTTED OPTICAL SWITCHES PHOTOTRANSISTOR OUTPUT

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SANYO LC87F52C8A

LC87F52C8A是近藤公司的一款8位微控制器，其特点是具有128K字节的闪存ROM（可在板上重新编程）、4K字节的RAM、高性能16位定时器/计数器x 2（可分割为8位定时器）、带有预分频器的8位定时器x 4、时钟用基准定时器、带有自动传输功能的同步Sio x 2、异步/同步Sio x 1、12位PWM x 2、8位12通道ADC、高速8位并行接口、高速时钟计数器、系统时钟分频功能、21个因素10个矢量中断功能等。

ST LD1086 SERIES 1.5A LOW DROP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR ADJUSTABLE AND FIXED 数据手册

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SHARP LH28F800BG-L (FOR SOP) Data Sheet

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TOKO TYPE LLQ1608 Wirewound Chip Inductors

LQL1608系列是TOKO的一款线圈产品，具有高Q、高自谐振频率、高可靠性等特点。

Panasonic A6 Size LN483126UN Data Sheet

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TEXAS INSTRUMENTS LP2981 Data Sheet

该文档介绍了SLVS521B稳压器的特点和特性，包括可在NanoStar芯片级封装中使用、固定/可调版本、输出容差为0.75%（A级）/1.25%（标准级）、超低压降、宽VIN范围、低IQ、关断电流、快速瞬态响应、过电流和过热保护、高峰值电流能力等

national semiconductor LP3881 0.8A Fast-Response Ultra Low Dropout Linear Regulators 数据手册

LP3881 0.8A 快速响应超低压降线性稳压器

ST M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 数据手册(1)

M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM 具有两个线的I2C串行接口，支持400 kHz协议，单电源电压：4.5V至5.5V，M24Cxx；2.5V至5.5V，M24Cxx-W；2.2V至5.5V，M24Cxx-L；1.8V至5.5V，M24Cxx-R；写控制输入；字节和页面写入（最多16字节）；随机和顺序读取模式；自定时编程周期；自动地址递增；增强的ESD/Latch-Up行为；超过100万次擦除/写入周期；超过40年的存储数据。

ST M27C1001 1 Mbit (128Kb x8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

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ST M27W201 2 Mbit (256Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27W201 2 Mbit (256Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM是飞利浦公司推出的一款低电压EPROM，适用于需要大数据或程序存储的微处理器系统。它以262,144 x 8位组织，工作电压为2.7V，工作温度范围为-40至85°C。

ST M28C61 数据手册

该文件介绍了M28C64型号的64K位(8K x 8)并行EEPROM存储器的特点和特性，包括快速访问时间、单一供电电压、低功耗、快速写入功能、增强的写入检测和监控、软件数据保护等。

ST M35102 Contactless Memory Chip with 64-bit Unique Serial ID 13.56 MHz, 2048-bit High Endurance EEPROM 数据手册

M35102是一款13.56MHz，2048位高耐久性EEPROM的无线记忆芯片，符合ISO 14443-2 Type-B标准。它具有1792位EEPROM、256位ROM、64位唯一序列号，支持BYTE和PAGE读写，并具有自定时编程周期、自动擦除功能，可实现100,000次擦除/写入，数据可保留40年。

三菱 M2V64S20BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) M2V64S30BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) M2V64S40BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 1048576

该文件介绍了MITSUBISHI ELECTRIC SDRAM的特点和特性，包括各型号的组织结构、工作电压、时钟频率、存取时间等信息。这些产品适用于计算机系统的主存储器或图形存储器。

ST M29F032D 32 Mbit (4Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory 数据手册

M29F032D 32 Mbit 5V Supply Flash Memory 的特点包括供电电压为 VCC = 5V ±10%，读写时间为 70 ns，编程时间为 10µs 每字节，有 64 个 64Kbyte 的存储块，支持擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、临时块解保护模式、通用闪存接口、64 位安全码、低功耗、自动待机以及 100,000 次编程/擦除周期