Microsemi 2N2218 2N2218A 2N2218AL 2N2219 2N2219A 2N2219AL JAN JANTX JANTXV NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/251 1
Microsemi 1N821UR thru 1N829AUR-1 Data Sheet(1) 该文件介绍了1N821UR到1N829AUR-1系列的温度补偿表面贴装Zener参考二极管。这些参考二极管提供了6.2V和6.55V的标称电压，并具有最低为0.0005%/oC的温度系数，以在7.5mA工作时实现温度下电压变化的最小化。这些玻璃表面贴装DO-213AA（MELF）参考二极管可选择添加“-1”后缀以获得内部金属结合。此类结合Zener封装构造也可在JAN、JANTX和JANTXV军事资格中获得。Microsemi还提供多种其他Zener参考二极管产品，适用于多种其他电压高达200V。
三星 KM681002A, KM681002AI 数据手册 这是一份关于KM681002A和KM681002AI CMOS SRAM的初步版本数据表。该产品是128Kx8高速静态RAM，工作电压为5V，具有革命性的引脚布局，可在商业和工业温度范围内运行。
IBM A60 Type 6838 A60i Type 6848 Brugervejledning 本手册介绍了NetVista A60 (Type 6838)和NetVista A60i (Type 6848)的功能和使用方法。它详细介绍了系统的安装、配置、使用和维护。
PHILIPS KTY84-1 series Silicon temperature sensors 数据手册 该数据手册介绍了KTY84-1系列硅温度传感器的特点特性，包括温度范围、封装、引脚、标识等信息。
IBM A40 Type 6830, 6831, 6840 A40p Type 6837, 6841, 6847 A40i Type 2251, 2271 User Guide NetVista™ User Guide是NetVista A40 Type 6830, 6831, 6840 A40p Type 6837, 6841, 6847 A40i Type 2251, 2271的产品手册，介绍了产品的特点特性。
National Semiconductor LM4836 Stereo 2W Audio Power Amplifiers with DC Volume Control, Bass Boost, and Input Mux 数据手册 LM4836是德州仪器(TI)生产的一款立体声2W音频功放芯片，集成有DC音量控制、立体桥接音频功放、可选择增益或低音增强以及输入切换功能。
TEXAS INSTRUMENTS LMV321 SINGLE, LMV358 DUAL, LMV324 QUAD LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS数据手册 LMV321是单通道，低电压，轨对轨输出运算放大器,LMV324是双通道，低电压，轨对轨输出运算放大器,LMV358是四通道，低电压，轨对轨输出运算放大器.
panasonic PANEL DISPLAY UNITS 128 × 64 mm φ 3 mm 32 × 16 Dots LNP173023 该文件介绍了365 PANEL DISPLAY UNITS的主要规格和参数，包括时钟频率、电源电压、输入电压、工作温度等。同时也提供了显示颜色、点阵直径、点阵间距、点阵总数等产品特性信息。
National Semiconductor LP2981 Micropower 100 mA Ultra Low-Dropout Regulator 数据手册 LP2981 微功率 100 mA 超低压降稳压器
National Semiconductor LP3961/LP3964 800mA Fast Ultra Low Dropout Linear Regulators 数据手册 LP3961/LP3964系列快速超低压差线性稳压器工作电压范围为+2.5V至+7.0V，可提供多种预设输出电压选项。这些超低压差线性稳压器响应负载变化非常迅速，因此非常适合低电压微处理器应用。LP3961/LP3964采用CMOS工艺制造，可独立于输出负载电流实现低静态电流运行。该CMOS工艺还允许LP3961/LP3964在极低压差条件下运行。
NATIONAL SEMICONDUCTOR LP3985 数据手册(1) LP3985是设计用于便携式和无线应用的微功率、150mA低噪声超低压降CMOS电压调节器。它具有极低的噪声、非常低的压降和低静态电流，适合电池供电系统使用。LP3985稳定性高，只需1µF ±30%的陶瓷电容或高品质的钽电容即可。微型SMD尺寸极小，占PCB面积最小，应用电路总面积小于2.0mm x 2.5mm，仅为1206尺寸的1/3。可选的外部旁路电容可以降低输出噪声，而不影响负载瞬态响应。通过使用内部电源开启电路，可以主动预充旁路电容，从而实现快速启动时间。在低频时，电源抑制比优于50 dB，并在1kHz时开始下降。电源抑制比在电池供电电路常见的低输入电压水平下保持较高。该器件非常适用于移动电话和类似的电池供电无线应用。它可以提供高达150 mA电流，输入电压范围为2.5V至6V。LP3985在禁用模式下消耗电流小于1.5µA，开启时间小于200µs。LP3985有5个小凸点的微型SMD、5个大凸点的微型SMD和5个薄的微型SMD封装。
ST M28F101 说明书 M28F101 1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是东芝公司的一款非易失性存储器，具有5V ±10% 电源电压、12V 编程电压、70ns 快速访问时间、10µs 典型字节编程时间、1s 范围的低功耗，以及 10,000 次擦除/编程周期等特点。
ST M28W640ECT M28W640ECB 说明书 该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品的初步信息。该产品为M28W640ECT和M28W640ECB型号的64 Mbit 3V供电闪存存储器，具有供电电压范围广、存取时间快、编程时间短、具备安全性等特点。
