Search - 说明书库

MELEXIS MLX80001 说明书

MLX80001是4通道物理层设备，用于使用本地互连网络(LIN)协议进行低速车辆串行数据网络通信的应用。该设备设计符合LIN协议规范包2.x的物理层定义和SAE J2602标准。该IC还可用于基于LIN 2.x规范的其他应用。

TOSHIBA G8000MM 100/150/225/300/375/500/625/750 kVA GUIDE SPECIFICATION THREE PHASE UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY

1

SCC68692是一款双异步接收器/发射器(DUART)，兼容SCN68681。它是一种单芯片CMOS-LSI通信设备，提供了两个全双工的异步接收器/发射器通道。它与其他S68000系列设备兼容，也可以轻松与其他微处理器接口。DUART可在轮询或中断驱动系统中使用。每个通道的操作模式和数据格式可以独立编程。此外，每个接收器和发射器可以选择其操作速度为十八个固定波特率之一，一个可编程计数器/定时器派生的16倍时钟，或外部的1倍或16倍时钟。波特率生成器和计数器/定时器可以直接从晶体或外部时钟输入运行。DUART的接收器和发射器可以独立编程操作速度的能力，使其特别适用于双速通道应用，如集群终端系统。每个接收器都是四重缓冲的，以最大程度地减少接收器溢出的风险或在中断驱动系统中减少中断开销。

TOSHIBA G9000 80/100/160/225 kVA GUIDE SPECIFICATION THREE PHASE UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY

这是一个关于TOSHIBA G9000 80/100/160/225 kVA三相静态不间断电源供电系统的说明书

LINEAR TECHNOLOGY LT1765/LT1765-1.8/LT1765-2.5/ LT1765-3.3/LT1765-5 说明书

LT1765/LT1765-1.8/LT1765-2.5/ LT1765-3.3/LT1765-5 1 1765fb是德州仪器公司生产的一种开关电源控制器，该芯片集成了高效率的3A开关管和全部控制电路，采用1.25MHz的开关频率，工作电压范围为3V到25V，输出电压可以通过外部电阻进行设置，输出电流最大为3A。

MAXIM DS12885, DS12887, DS12C887 说明书

DS12885, DS12887和DS12C887是DS1285和DS1287的直接替代品，提供实时时钟/日历、一次性闹钟、三个可屏蔽中断、可编程方波和114字节的电池备份静态RAM（DS12C887和DS12C887A中为113字节）。DS12887集成了石英晶体和锂电源，封装在24引脚的DIP封装中。DS12C887在地址32h处添加了一个世纪字节。设备具有自动调整月末日期的功能，包括闰年修正。设备还可以在24小时或12小时制中操作，并具有AM/PM指示器。精密的温度补偿电路监视VCC的状态。如果检测到主要电源故障，设备会自动切换到备用电源。可以通过VBAT输入引脚连接锂电池到DS12885，以在主要电源缺失时保持时间和日期运行。设备通过多路复用的字节宽接口访问，支持Intel和Motorola模式。

FUJITSU 32-bit Proprietary Microcontroller CMOS FR60Lite MB91270/280 Series MB91F272/F272S/V280 数据手册

MB91270/280是基于32位高效RISC CPU的单片微控制器，用于构建各种I/O资源和总线控制机制，满足对CPU高性能/高速度处理的需求。因为32位CPU可以访问的广阔地址空间，外部总线访问是基本。为了加快CPU指令执行，MB91270/280内置了16 KB的数据RAM。它是数字摄像机、导航系统和DVD播放机等需要高效CPU处理能力的嵌入式应用的最佳规格。MB91270/280系列基于FR30/40系列CPU启动总线访问，是FR60 Lite系列高速应用的对应产品。

VISHAY VLMK/Y82.. 说明书

VLMK/Y82..是市场上最强大和光效最高的LED之一。其陶瓷封装使其成为具有高热考虑的应用中的理想光源，可以提供额外的电流驱动，以实现最大的光输出，同时保持高达50K小时的使用寿命。

VISHAY K814P/ K824P/ K844P 说明书

K814P / K824P / K844P是Vishay Semiconductors生产的一款光耦合器，输出为光电晶体，输入为交流。该产品具有低耦合电容、低温度系数、大范围环境温度等特点。

FUJITSU MB85R1002 说明书

MB85R1002是一种FRAM芯片，由65,536个字x16位的非易失性存储单元组成，使用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术制造。MB85R1002可以在不使用备用电池的情况下保持数据，这与SRAM不同。MB85R1002中使用的存储单元可以进行至少1010次读写操作，这是对Flash存储器和E2PROM所支持的读写操作次数的显着改进。MB85R1002使用与传统异步SRAM兼容的伪SRAM接口。

东芝 ZSB1481 说明书

1

SILICON LABORATORIES C8051F320/1 Full Speed USB, 16k ISP FLASH MCU Family 数据手册

C8051F320/1是Silicon Laboratories推出的一款16k ISP FLASH MCU，具备全速USB功能，支持10位ADC、两个比较器、内部电压参考、POR/Brown-Out Detector。

TOSHIBA TIM7785-8L MICROWAVE POWER GaAs FET Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (C-Band) 数据手册

东芝微波功率GaAs FET TIM7785-8L是低失真、高功率、高增益的C波段GaAs FET，具有低互调失真、高功率、高增益、宽带内部匹配和密封封装等特点。

OMRON S82K 说明书(1)

Switch Mode Power Supply S82K L-5 Power Supplies是松下电器生产的一种开关型电源供应器，额定功率为3到240 W，可在100到240 V的交流输入电压范围内工作。该产品具有欠压报警功能，并在90和100 W型号中标配了报警输出。

ST M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29W160ET M29W160EB是16Mbit（2Mb x8或1Mb x16，引导块）3V供应闪存，具有电压范围为2.7V至3.6V的编程、擦除和读取功能。该产品具有70、90ns的访问时间，10μs的编程时间，35个存储块，1个引导块（顶部或底部位置）——2个参数和32个主块。其编程/擦除控制器具有嵌入的字节/字编程算法，擦除挂起和恢复模式允许读取和编程另一个块，并且擦除挂起期间还可以使用绕过编程命令进行更快的生产/批量编程。此外，该产品还支持临时块非保护模式、64位安全代码、低功耗（待机和自动待机）和100,000次编程/擦除循环/块。电子签名包括制造商代码（0020h）、顶部设备代码（M29W160ET：22C4h）和底部设备代码（M29W160EB：2249h）。该产品支持TSOP48（N）和TFBGA48（ZA）两种封装。

Search Manuals