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ST M95128-125 数据手册

M95128-125是ST公司的一款汽车128-Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高时钟频率。

ST M24128-125 Automotive 128-Kbit serial I²C bus EEPROM 数据手册

M24128-125 是一款 128-Kbit 的串行 I²C 总线 EEPROM，具有以下特点：兼容所有 I2C 总线模式（400 kHz Fast 模式、100 kHz Standard 模式）、128 Kbit（16 Kbytes）的 EEPROM 存储阵列、64 字节的页大小、5 ms 的写字节写入时间、5 ms 的页写入时间、2.5 V 至 5.5 V 的单电源电压、-40 °C 至 +125 °C 的操作温度范围、随机和顺序读取模式、整个存储阵列的写保护、增强的 ESD/Latch-Up 保护、100 万次以上的写入周期和 40 年的存储数据保留期。

ST M48Z02 M48Z12 5 V, 16 Kbit (2 Kb x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册

该文档介绍了M48Z02和M48Z12两种型号的5V、16Kbit的ZEROPOWER® SRAM产品的特点和特性，其中包括集成的超低功耗SRAM和电源失效控制电路、无限写入循环、读取周期时间等。

ST M48Z08 M48Z18 5 V, 64 Kbit (8 Kb x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册

本文件介绍了M48Z08和M48Z18 5 V，64 Kbit（8 Kb x 8）ZEROPOWER® SRAM的特点特性。

ST M48Z58/M48Z58Y 数据手册

M48Z58和M48Z58Y是一种集成了超低功耗SRAM、断电控制电路和电池的5V、64 Kbit（8 Kbit x 8）零功耗SRAM。它具有自动断电芯片取消选择和写保护功能，支持不同的写保护电压范围。它采用了CAPHAT™ DIP封装，内置电池，同时还提供了28引脚SOIC和SNAPHAT®顶部（需另外订购）的封装形式。它与JEDEC标准的8 Kbit x 8 SRAM引脚和功能兼容，符合RoHS标准。

ST M48Z35 M48Z35Y 256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册

该文档介绍了M48Z35和M48Z35Y两款256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM产品的特点特性，包括超低功耗SRAM、断电控制电路和电池，读写周期相等，自动断电芯片取消选择和写保护等。

ST M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE® serial access EEPROM 数据手册

该数据手册详细介绍了STMicroelectronics的M93Cx6系列MICROWIRE®串行访问EEPROM的特征和特性。该系列包括16 Kbit、8 Kbit、4 Kbit、2 Kbit和1 Kbit（8位或16位宽）的设备。

ST M24C16-x M24C08-x M24C04-x M24C02-x M24C01-x 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM 数据手册

该文档介绍了M24C16-x、M24C08-x、M24C04-x、M24C02-x和M24C01-x等系列产品的特点和特性，包括支持I2C标准模式和快速模式、写控制输入、字节和页面写入、随机和顺序读取模式、自定时编程周期、自动地址增加、增强的ESD/抗锁存保护、超过100万次写入周期、超过40年数据保留等特点。

ST M48Z2M1Y M48Z2M1V 5 V or 3.3 V, 16 Mbit (2 Mb x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册

本手册介绍了M48Z2M1Y和M48Z2M1V系列集成式超低功耗SRAM、电源故障控制电路和电池。

ST M48Z512A M48Z512AY, M48Z512AV 4 Mbit (512 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册

该文件介绍了M48Z512A/Y/V ZEROPOWER® RAM的特点和特性，包括集成的超低功耗SRAM、电源故障控制电路和电池、无限写入次数、断电情况下的10年数据保留、自动断电和写保护功能等。

ST M95128-W M95128-R M95128-DF 128-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册

M95128-W M95128-R M95128-DF 128-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock datasheet. This datasheet provides information on the M95128-W, M95128-R, and M95128-DF 128-Kbit serial SPI bus EEPROMs with high-speed clock.

ST LRI2K 2048-bit EEPROM tag IC at 13.56 MHz, with 64-bit UID and kill code, ISO 15693 and ISO 18000-3 Mode 1 compliant 数据手册

该文件介绍了一个名为LRI2K的产品，是一种2048位EEPROM标签IC，工作频率为13.56 MHz，符合ISO 15693和ISO 18000-3 Mode 1标准。它具有64位UID和销毁代码，支持10%或100%ASK调制和1/4或1/256脉冲位置编码的载波调制，以及使用423 kHz和484 kHz子载波的曼彻斯特编码的负载调制。它还支持53 Kbit/s数据速率和快速命令。该产品具有内部调谐电容，支持1,000,000次擦除/写入周期，40年数据保留期，2048位EEPROM和块锁功能。它还具有电子物品监控功能和销毁功能，可以进行读写操作，编程时间为5毫秒。

ST M4Z28-BR00SH M4Z32-BR00SH ZEROPOWER SNAPHAT (battery 数据手册

M4Z28-BR00SH和M4Z32-BR00SH是用于ZEROPOWER®和supervisor设备的备用电池，可选择48mAh或120mAh容量。该电池采用防呆设计，可直接安装在SNAPHAT® SOIC上，并可在线切割。

ST LRIS2K 2048-bit EEPROM tag IC at 13.56 MHz, with 64-bit UID and Password, ISO15693 and ISO18000-3 Mode 1 compliant 数据手册

该文件介绍了一款13.56 MHz的2048位EEPROM标签IC，具有64位UID和密码。该产品符合ISO15693和ISO18000-3 Mode 1标准，支持10%或100%ASK调制和1/4或1/256脉冲位置编码。具有内部调谐电容器、1000000次擦写周期、40年数据保留、2048位EEPROM和其他特性。

ST M95080 M95080-W M95080-R 8-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册

这是一份关于产品的信息，产品已经进入全面生产阶段。该产品是一款8-Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟。它兼容串行外围接口(SPI)总线，具有8 Kb (1 Kbyte)的EEPROM存储器阵列和32字节的页面大小。它支持字节写入和页面写入，写入时间不超过5毫秒。可对整个存储器阵列进行四分之一、一半或全写保护。具有高速时钟，最高可达10 MHz。供电电压范围广泛，M95080为4.5 V至5.5 V，M95080-W为2.5 V至5.5 V，M95080-R为1.8 V至5.5 V。工作温度范围为-40°C至+85°C。具有增强的ESD保护，超过100万次写入循环，超过40年的数据保持时间。该产品符合RoHS和无卤素(ECOPACK®)要求，有多种封装可供选择。

ST LRI1K 1024-bit EEPROM tag IC at 13.56 MHz, with 64-bit UID and kill code, ISO 15693 and ISO 18000-3 Mode 1 compliant 数据手册

LRI1K 1024-bit EEPROM tag IC 是一款符合 ISO 15693 和 ISO 18000-3 Mode 1 标准的射频识别（RFID）标签芯片。该芯片采用 13.56 MHz 频率，支持 10% 或 100% ASK 调制，并提供 1/4（26 Kbit/s）或 1/256（1.6 Kbit/s）脉冲位置编码。

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