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MMSD4148是MMSD系列的一种开关二极管，它具有高击穿电压、快速开关时间、表面贴装包装等特点。

MMSD4148T1是ON Semi的一种开关二极管，具有高击穿电压和快速开关时间。它有SOD−123表面贴装封装，可在8毫米磁带和卷轴上获得，还提供无铅封装。

该文件介绍了开关二极管的特点，包括SOD-123表面贴装封装、高击穿电压、快速开关时间等。

本文档介绍了NCP1052低成本高压100 mA非隔离型电源，该电源采用Buck和Buck-Boost拓扑。该器件由ON Semiconductor公司制造，是一款集成700 V/ 300 mA功率开关的最新低成本开关控制器。它主要用于隔离10 W范围的反激式转换器。如果不需要隔离，该IC也可以用作步降型Buck和Buck-Boost转换器，通过去除光电耦合器并用电感替换变压器来进一步降低成本。输出电流能力为100 mA。可能的操作范围是从输入范围20 Vdc到700 Vdc到输出范围5.0 V或以上，电流为100 mA。典型的效率约为65%，在12 V Buck演示板上获得。所提出电路的优点包括：与反激式相比，Buck和Buck-Boost消除了光电耦合器并用电感替换变压器以节省成本。与反激相比，Buck和Buck-Boost在开关中提供较小的电压应力。它可以最小化开关损耗并提高效率。NCP105x可以从宽范围的高输入电压20 Vdc到700 Vdc中汲取电力。它不需要额外的供电电路。NCP105x以44、100或136 kHz的频率工作，并且可以适应各种输入电压和电流。

MiniMOS 是高性能低压、高速度 MOSFET 系列，适用于功率效率至关重要的应用。

FDMC86320 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低门极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能，适用于DC/DC转换器、电机桥开关和同步整流器等应用

FDMC86324是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-Channel Power Trench® MOSFET，额定电压80 V，最大电流20 A，导通电阻23 mΩ。该器件具有低剖面（1 mm max in Power 33）、100% UIL测试和RoHS合规等特点。

FDMC8651是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其特点是低阻抗和低门极电阻，适用于DC/DC转换器、同步整流器等应用场合

该文件介绍了FDMC86520L N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低电压和高电流下的性能等。

FDMC8854是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有低RDS(on)、低封装高度和RoHS兼容性。

FDMC8878 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的N通道功率晶体管，具有30V、16.5A、14mΩ的特点。

FDMC8882 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率管理和负载开关应用

FDMC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款30V，15A，19mΩ的功率管。它采用Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process制造，具有极低的rDS(on)。该管子适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。

该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。

FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。

FDMQ8403是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N通道功率MOSFET，额定电压为100V，额定电流为6A，最大导通电阻为110mΩ。

FDMS039N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低FOM、低反向恢复电荷的N沟道MOSFET，适用于同步整流、电池充电器、电机驱动等应用

FDMS2508SDC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该器件采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS(on)和极低的Junction-to-Ambient热阻，非常适合DC/DC转换器、电信二次侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET应用。

该数据表格详细介绍了FDMS3008SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特性、规格、应用场景等信息。

FDMS8570S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是一款高性能的功率器件，采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造。该器件具有极低的 Rds（on），非常适合 DC/DC 转换器、电信二级侧整流器和高端服务器/工作站等应用。