MOTOROLA MC100EL1648 说明书 MC100EL1648是一种低功率电压控制振荡器，适用于需要固定频率时钟的许多应用。它基于MC1648的VCO电路拓扑结构，使用Motorola的MOSAIC III先进双极工艺技术制造，能以更高的频率工作，并且电流只有MC1648的一半。MC100EL1648具有ECL输出电路，采用了片上终端电阻，方便将输出信号直接交流耦合到传输线上。
MOTOROLA 8-Bit scannable register MC10E241 MC100E241 数据手册(1) MC10E/100E241是8位可移位寄存器。与E141等标准通用移位寄存器不同，E241具有内部数据反馈组织，因此SHIFT控制覆盖了HOLD/LOAD控制。这使得可以使用单个控制线切换正常的HOLD和LOAD操作，而无需外部门控。它还可以通过单个SHIFT控制线切换到扫描模式。8个输入D0-D7接受并行输入数据，而在移位模式下S-IN接受串行输入数据。数据在CLK的正向上升沿之前接受一个设置时间;移位也发生在正时钟边缘。Master Reset引脚(MR)上的高电平异步将所有寄存器重置为零。
MOTOROLA MJW16018*/MJW16018* 数据手册 该数据表格提供了关于1.5 kV SWITCHMODE系列双极功率晶体管的最大额定值，包括集电极-发射极电压、集电极-发射极饱和电压、发射极-基极电压、发射极-基极饱和电流、漏极电流等。
ON Semiconductor MJW18020 数据手册 MJW18020是一款平面高压功率晶体管，专为电机控制应用、高功率电源和UPS设计，其直流和开关参数的高可重复性最小化了桥接配置中的死区时间。主要特点包括：高和优异的增益线性度、快速和非常紧密的开关时间参数tsi和tfi、由平面结构引起的非常稳定的漏电流、高可靠性。
FAIRCHILD BC807/BC808 说明书 BC807/BC808是一种PNP外延硅晶体管，适用于AF驱动级和低功率输出级。其特点包括：集电极-发射极耐压为-45V至-25V，发射极-基极耐压为-5V，最大集电极电流为-800mA，最大集电极功耗为310mW等。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册 BC807-16/-25/-40是一种PNP表面贴装晶体管，适用于自动插入、开关、AF驱动和放大器应用。它具有理想的插入特性和结构，采用外延平面晶片结构。BC807-16/-25/-40有三种型号，分别是BC807-16、BC807-25和BC807-40。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册(1) BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 是一种理想的用于自动插入的 PNP 表面贴装晶体管，具有平面层叠晶片结构，可用于开关、AF 驱动器和放大器应用。该晶体管具有可补充的 NPN 型号（BC817），符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。
PNP BC 807W / BC 808W General Purpose Transistors 数据手册(1) 该文件介绍了BC 807W / BC 808W型号的通用PNP表面贴装晶体管的特点和特性，包括安装方式、电气参数、尺寸、包装形式等。
BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 General Purpose Transistors 数据手册 该数据表提供了BC807-16LT1的最大额定值、热特性、器件标记、电气特性等信息。
philips BC807DS PNP general purpose double transistor 数据手册 该文件介绍了BC807DS产品的特点和特性，包括高电流、总功率耗散、替代两个SOT23封装的晶体管等。
AUK BC807F PNP Silicon Transistor 数据手册 KST-2085-000 1 BC807F是一款PNP硅晶体管，适用于高电流应用和开关应用。特点是适用于AF驱动级和低功率输出级，与BC817F互补配对。
Infineon PNP Silicon Transistor Array BC807U 数据手册 BC807U 是一款 PNP 硅晶体管阵列，用于 AF 输入级和驱动应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压以及良好匹配的两个（隔离）内部晶体管
Infineon PNP Silicon AF Transistors BC807W, BC808W 数据手册 BC807W, BC808W是英飞凌的PNP硅AF晶体管，用于一般AF应用，具有高集电极电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压。
