惠而浦 AWZ 8677 洗衣机 快速参考指南 该文件提供了关于机器操作的详细信息，包括故障排除和维修。根据材料厚度、材料类型和干燥程度进行分类。提醒检查所有的扣子是否关闭，口袋是否空空如也。还提供了关于门的操作和儿童安全锁的说明。指导正确地放置衣物并选择干燥程序和选项。通过按下“开始（暂停）”按钮启动干燥程序。
PANTECH CDM8635 用户指南 感谢您选择CDM8635，我们的最新款手机。CDM8635具有许多功能，例如Clear Hearing，旨在增强您的移动体验。从其易于阅读的菜单到其时尚的外观设计，我们知道您会喜欢整个CDM8635体验。本用户指南包含重要而有用的信息，将最大限度地提高您对CDM8635的了解。
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1) K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1) K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ，工作电压为 1.7V 到 1.95V ，工作温度为 -30°C ~ 85°C 。
三星 K5P2880YCM - T085 数据手册 K5P2880YCM是三星公司生产的一款集成128Mbit Nand Flash和8Mbit full CMOS SRAM的Multi ChipPackage Memory，单电源供电3.0V，支持528-byte page program，16K-byte block erase，读取速率50ns。
三星 K5P2880YCM - T085 数据手册(1) 该文档介绍了鼎好公司的K5P2880YCM - T085型号的多芯片封装存储器产品。该产品包含128M位（16Mx8）Nand闪存和8M位（1Mx8/512Kx16）全CMOS SRAM。闪存具有高速的编程和擦除性能，而SRAM则具有高容量和低功耗的特点。
LOW LEVEL ZENER DIODES SHARP KNEE, LOW IMPEDANCE K511 - K681 K511 - K681 系列是低电流、低阻抗的齐纳二极管，具有独特的制造工艺、非常尖锐的开关特性和极低的阻抗，是目前低电流齐纳二极管中阻抗最低的系列
JGD280 同步控制器使用说明书 JGD-280 同步控制器是一款具有完善功能、高精度、通用性、使用简便、工作可靠的同步控制器，可广泛应用于各种机械设备上，如电力、钢铁、造纸、纺织、印染、电缆光纤、塑料等行业。
SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1) K4S640432H / K4S640832H / K4S641632H是Samsung Electronics生产的64Mb H-die CMOS SDRAM芯片。
SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1) 该文件介绍了三星电子的SDRAM 64Mb H-die产品规格，包括不同接口和封装的型号，以及其高性能CMOS技术和同步设计的特点。
SAMSUNG K4S640832K 数据手册 本文件是关于K4S640832K Synchronous DRAM Rev. 1.1 February 2006 的技术规格说明书，包含了该产品的各种参数信息。
