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IXYS IXFH14N80, IXFH15N80 数据手册

14N80和15N80是IXYS公司生产的高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列N沟道增强型功率MOSFET，其特点包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未钳制感性开关（UIS）额定、低封装电感、易于驱动和保护、快速内在整流器，应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、交流电动机控制、温度和照明控制、低压继电器等。

IXYS IXFH 13N80Q, IXFT 13N80Q 数据手册

IXFH 13N80是一种N沟道增强型高dv/dt、低Qg的功率MOSFET

IXYS IXFH20N80Q, IXFK20N80Q, IXFT20N80Q 数据手册

IXFH20N80Q和IXFK20N80Q是IXYS公司的一款N沟道增强型雪崩额定低Qg、高dv/dt功率MOSFET。主要特点是低RDS(on)低Qg、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器、易于安装、节省空间、高功率密度。

IXYS IXFH 28N50F, IXFT 28N50F 数据手册

该文件是关于IXYS公司的HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class产品的技术信息文档。该产品是N通道增强型击穿额定、低Qg、低内部Rg、高dV/dt、低trr的RF电源MOSFET。

IXYS IXFH 26N60/IXFT 26N60/IXFK 28N60 数据手册

IXFH/IXFT IXFK是IXYS公司的N沟道增强型高dv/dt、低trr的600V功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为26A/28A，开关速度快（trr为250ns），可用于电机驱动、开关电源等应用。

IXYS IXFH/IXFM42N20, IXFH/IXFM/IXFT50N20, IXFH/IXFT58N20 数据手册

该文件介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET系列产品。这些产品是N沟道增强型高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列。其特点包括国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、无钳位感性开关（UIS）评级、低封装电感、易于驱动和保护、快速整流器等。适用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC切割等应用。

IXYS IXFH/IXFT 68N20 IXFH/IXFT74N20 数据手册

本白皮书旨在帮助企业了解云原生技术带来的价值，并帮助企业实现从传统 IT 到云原生 IT 的转型。本白皮书从云原生技术的定义、特征、优势、应用场景和技术体系等方面进行了介绍，并对云原生技术的未来发展趋势进行了展望。

IXYS IXFH 9N80Q/IXFT 9N80Q 数据手册

该文件介绍了IXYS的产品特点和特性，包括低Qg、高dv/dt、国际标准封装、低RDS (on)、无钳位感应开关（UIS）等。

IXYS IXFH8N80 IXFH9N80 数据手册

该文件介绍了新一代12英寸MacBook Pro的功能和特点。新一代MacBook Pro搭载了M1 Max芯片，这款芯片是苹果迄今为止最强大的笔记本电脑芯片。M1 Max芯片采用8颗高性能核心和2颗高能效核心，总计10个核心。M1 Max芯片还配备了32核GPU和16核神经引擎。新一代MacBook Pro还配备了16英寸Liquid Retina XDR显示屏，这款显示屏具有1000尼特的峰值亮度和1600万像素的像素密度。新一代MacBook Pro还配备了1080p FaceTime HD摄像头和6扬声器音响系统。

IXYS IXFH 80N20Q IXFK 80N20Q IXFT 80N20Q 数据手册

该数据表提供了IXYS HiPerFETTM系列N通道增强型雪崩额定功率MOSFET的规格，包括最大电压、最大电流、栅极电荷、开关时间等。

IXYS IXFH 80N15Q IXFK 80N15Q IXFT 80N15Q 数据手册

该文档是关于IXFK系列高压功率MOSFET的产品手册，提供了该系列产品的特点特性，包括封装、最大电压、最大电流、最大功率、最大开关速度等。

IXYS IXFH 7 N80 / IXFM 7 N80 数据手册

IXFH 7 N80和IXFM 7 N80是IXYS生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高dv/dt、低trr和高功率密度等特点，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关电源等应用。

IXYS IXFK 27N80Q IXFR 27N80Q IXFX 27N80Q 数据手册

该文件介绍了IXYS公司的PLUS 247TM (IXFX)和TO-264 AA (IXFK)型号的HiPerFETTM功率MOSFET，这些产品具有低Qg、高dV/dt、低trr等特点。

IXYS IXFK 27N80 IXFK 25N80 IXFN 27N80 IXFN 25N80 数据手册

本文件为IXYS的25N80/27N80 MOSFET的Datasheet，主要介绍了该MOSFET的特点特性，应用场景和优势。

IXYS IXFK 34N80/IXFX 34N80 数据手册

该文档为IXFX品牌PLUS 247TM型号的N-Channel Power MOSFET的规格书。

IDT IDT238 数据手册

IDT2308是3.3V零延迟时钟倍增器，可用于频率范围为10MHz至133MHz的应用。IDT2308分配一个时钟输入到两个四输出阵列，并为每个输出阵列提供独立的输出使能。外部反馈(FBK)引脚用于同步输出到时钟输入。输出偏斜小于200ps，周期间抖动小于200ps。IDT2308提供了1x、2x、4x输出选项，可根据需要选择。IDT2308不需要外部RC网络，工作电压为3.3V，可选的TSSOP和SOIC封装。

Integrated Device Technology IDT 79R3081, 79R3081E IDT 79RV3081, 79RV3081E 数据手册

该文件是关于IDT79R3081 RISController产品的介绍，介绍了产品的特点特性，包括指令集、集成度等

IDT IDT23S08 数据手册

IDT23S08是3.3V零延迟时钟倍频器，可实现1x,2x,4x时钟输出

IDT IDT23S08T ADVANCE INFORMATION 数据手册

IDT23S08T是一个高速相位锁定环（PLL）时钟倍频器，适用于高速时钟分配和倍频应用。它具有两个四个输出的输出端，可以通过两个选择地址进行控制。

IDT IDT23S08E 数据手册

该文件介绍了IDT23S08E 3.3V零延迟时钟倍频器的特性和特点，包括相位锁定环时钟分配、输出控制、低抖动和外部反馈等。该产品适用于10MHz到200MHz操作频率的应用。