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该文档介绍了 Vishay Telefunken 公司的 1N4678 和 1N4717 型号的硅外延平面 Zener 二极管的特点和特性，包括在不同电流下规定的 Zener 电压、最大 Delta VZ、非常高的稳定性和低噪音等。该产品主要用于电压稳定。

ST-BUS并行存取电路(STPA)提供了Mitel的ST-BUS和并行系统环境之间的简单接口。它具有高速并行访问串行ST-BUS的特点，适用于68000微处理器的并行总线优化，同时还具有灵活的中断功能和可编程的循环模式等特性。

AT25080/160/320/640 系列是 AT25 系列 8 位串行电可擦程可编程只读存储器 (EEPROM)，具有 8192/16384/32768/65536 位，组织为 1024/2048/4096/8192 个 8 位字。该器件经过优化，可用于许多工业和商业应用，在这些应用中，需要低功耗和低电压操作。

这些设备适用于需要独立逻辑和负载地的高侧开关应用，负载供电电压可达80V，输出电流可达-500mA。这些8通道源驱动器可用于低电平逻辑和高电流负载之间的接口。典型负载包括继电器、电磁铁、灯泡、步进电机和/或伺服电机、打印锤和LED。所有设备都可以与5V逻辑系统（TTL、Schottky TTL、DTL和5V CMOS）一起使用。UDN2981A、UDN2982A、UDN2982LW和A2982SLW可以互换使用，最大输出关断电压为50V，最小工作电压为5V；UDN2983A、UDN2984A、UDN2984LW和A2984SLW驱动器可以互换使用，可承受80V的输出电压，最小工作电压为35V。该系列的所有设备都集成了输入电流限制电阻和输出瞬态抑制二极管，并且通过高电平输入进行激活。后缀“A”（所有设备）表示18引脚塑料双列直插封装，带有铜引线框架，以实现最佳功率耗散。在正常工作条件下，这些设备在每个八个输出上可以持续承受120mA，环境温度为+50°C，供电电压为15V。后缀“LW”（仅UDN2982LW和UDN2984LW）表示18引脚可表面安装的宽体SOIC封装；A2982SLW和A2984SLW采用20引脚宽体SOIC封装，具有改进的热特性。

UPA831TC是一种NPN硅外延双晶体管，采用超小封装，适用于便携式无线应用。具有低高度轮廓、降低引线电感、两种不同的芯片类型等特点。

该文件介绍了Microchip Technology Inc.的28C16A产品的特点和特性，包括快速读取存取时间、低功耗、快速字节写入时间、数据保持时间长、高耐用性等。

该数据表介绍了µPD45128441, 45128841, 45128163 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL 的特点特性

这是一份关于NPN硅晶体管的PDF文件，该文件中包含了该产品的各项性能指标，包括最大额定值、工作温度范围、封装类型等

该数据手册提供了关于SFH618A/628A耦合器的详细信息，包括特性、应用、规格、特性、图表和引脚图。

BB669/BB689是飞利浦公司生产的二极管产品，它具有非常高的电容比和低的电阻，适用于2-Band-hyperband-TV-tuners等领域。

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2SB1508/2SD2281是SANYO制造的一款PNP/NPN晶体管，主要用于中低压大电流开关应用。主要特性包括低发射极-集电极电容、高电流增益、低饱和压降和高功率密度。

该文件介绍了一系列辐射硬化MOSFET器件，特别适用于商业和军事空间应用。这些器件具有增强的功率MOSFET对单事件效应（SEE）的抗干扰能力，特别是对单事件门极破裂（SEGR）具有较高的免疫力。同时，它们还具有100K RADS的总剂量硬化性能，适用于恶劣的太空环境。这些器件还具有军事应用所需的剂量率和中子容忍度。

BCR183./SEMB11 PNP Silicon Digital Transistor，用于开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路，内置偏置电阻（R1 = 10kΩ 、R2 = 10kΩ），6针封装，有两个（电隔离）内部隔离管与良好的匹配度在一个封装中。

Oki Semiconductor的OD9601N, OD9602N, 和OD9604N PD Preamp Module Family是表面贴装的1.3-µm, InGaAs PIN光电二极管与传输阻抗放大器相结合的器件。OD9601N在STM4/OC12/OC24环境中工作在1.25 Gbps。OD9602N在STM4/OC12环境中工作在622 Mbps。OD9604N在STM16/OC48环境中工作在2.488 Gbps。这些光电二极管预放大器模块通过引线与单模光纤连接。

1.55mm DFB-LD模块，光纤带有偏振维持功能，用于2.5Gb/s和10Gb/s数字光通信系统

ISSI 128Mb Synchronous DRAM 具有高时钟速率和高数据传输率，工作频率为 166,143,100 MHz，工作电压为 3.3V，支持 LVTTL 接口，具有自动刷新、自刷新和可编程刷新周期等功能

OP181/OP281/OP481是一款单电源、超低功耗、集成电路。特点是输入电压范围宽，电源电流低，输出电压摆幅大，输出无相移。该产品广泛应用于安全监控、电池供电仪器、远程传感器和低压应变计放大器等场合。

该文件是关于IS62LV2568LL SRAM的，是ISSI公司的一款低压低功耗CMOS静态RAM，具有256K x 8字节的容量，工作电压为2.5V，工作频率为70/85ns，支持两种片选和输出使能引脚，可以满足各种应用场景。

该数据手册介绍了ISSI IS62WV12816ALL/ IS62WV12816BLL的特性，包括高性能CMOS工艺、高性能和低功耗设备、单电源供电、完全静态操作、三态输出、数据控制以及工业温度和2CS选项等