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Agilent Sensitivity enhancement for flame atomic absorption spectrometry using an atom concentrator tube, the ACT-80 说明书

本文介绍了一种简单的附件，用于增强火焰原子吸收光谱法（FAAS）的灵敏度，并附有一些性能结果和实际应用。同时还对历史回顾进行了介绍。

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28S 数据手册

该文件介绍了ASI HF8-28S型号的特点和特性，包括电压和电流等参数。该产品具有高功率、低失真等特点。

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28F 数据手册

ASI HF8-28F 是一款 NPN 硅射频功率晶体管，其特点是： PG 为 21 dB 最小，在 8 W/30 MHz，IMD3 为 -30 dBc 最大，在 8 W(PEP) 时。

SHARP PC817 Series data sheet

PC817系列是夏普推出的一款高密度安装型光电耦合器，具有高电流传输比、高输入与输出隔离电压、小型双列直插式封装等特点，主要应用于计算机终端、系统家电、测量仪器、注册机、复印机、自动售货机、电动家用电器等领域。

Xicor X28C010 Data Sheet

X28C010 为128K x 8 E2PROM，使用高性能浮动栅极CMOS技术制造。此产品只需使用5V电源，并支持256字节页写操作，写入周期仅为19µs/字节，整个内存的写入时间仅需不到2.5秒。

Xicor X28HC256 Data Sheet

这是一款5伏特，字节可改写的E2PROM产品。它具有简单的字节和页写功能，单5伏电源，不需要外部高压或VPP控制电路，自时序，不需要擦除前写入，没有复杂的编程算法，没有过度擦除问题，低功耗CMOS：活动60mA，待机500µA，软件数据保护，保护数据免受系统级无意写入，高速度页面写入功能，高度可靠的Direct Write™单元，耐久性：100,000次写入，数据保留：100年，早期写入检测 - DATA Polling - Toggle Bit Polling

ASI HF15-28F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF15-28F是一种NPN硅RF功率晶体管，具有21 dB的最小PG和-30 dBc的最大IMD3。它具有Omnigold™金属化系统，最大额定值为4.0 A，65 V，35 V和4.0 V。

ASI HF15-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF15-28S是Advanced Semiconductor, Inc. 生产的一款NPN硅RF功率晶体管，该产品具有Omnigold™金属化系统的特点，最大电流为4.0 A，最大集电极-发射极反向电压为65 V，最大发射极-基极反向电压为35 V，最大发射极-基极电压为4.0 V，最大功耗为40 W。

ASI HF30-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF30-28S是NPN硅射频功率晶体管，其特点是PG=20dB min. at 30W/30MHz，IMD3=-30dBc max. at 30W(PEP)。

ASI HF75-28F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF75-28F是NPN硅射频功率晶体管，具有18 dB的功率增益和-30 dBc的IMD3。

ASI HF100-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF100-28是一种用于SSB通信的A类硅NPN平面晶体管，具有高线性功率输出和低互调失真。

ASI HF125-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

HF125-28是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 15 dB min. at 100 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 100 W(PEP)

ASI HF220-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF220-28 是一款硅 RF 功率晶体，具有 12 dB 的 PG 和 -30 dBc 的 IMD3。

SGS-THOMSON SD1528-08 Data Sheet

该文档介绍了AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS .250 SQ. 2LFL (M105)的特点特性，包括高功率脉冲IFF、DME和TACAN应用、功率输出、增益、金属化等。

MCC SDB151L THRU SDB158L 数据手册

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GENERAL SEMICONDUCTOR SMZG AND SMZJ 3789 THRU 3809B 数据手册

该数据表格列出了SMZG3789A,B,SMZJ3789A,B,WA,B型号二极管的最大电气特性。

TEXAS INSTRUMENTS SN74ALVCH16282 数据手册

该文档是SN74ALVCH16282 18-BIT TO 36-BIT REGISTERED BUS EXCHANGER WITH 3-STATE OUTPUTS的使用手册

飞利浦 BZX384 series 数据手册

BZX384是飞利浦半导体公司生产的一款低功耗电压调节二极管，封装形式为SOD323（SC-76），具有两种精度等级：±2%和±5%，工作电压范围为2.4至75伏。

TEXAS INSTRUMENTS SN74CB3T3384 Data Sheet

SCDS159B是德州仪器公司出品的一款电平转换器，支持混合模式信号操作，工作电压范围为2.3V至3.6V，数据I/O支持0到5伏的信号电平。

TEXAS INSTRUMENTS SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690 数据手册

SN74V3640，SN74V3650，SN74V3660，SN74V3670，SN74V3680，SN74V3690 1024 x 36, 2048 x 36, 4096 x 36, 8192 x 36, 16384 x 36, 32768 x 36 3.3-V CMOS FIFOs，具有可选的深度和带宽，可满足不同应用的需求。这些器件具有低功耗和高性能，使其成为通信，消费电子和计算应用的理想选择。