MDTL INTEGRATED CIRCUITS FROM MOTOROLA MC830 series MC930 series 数据手册 该文件是从www.AllDataSheet.com下载的，介绍了一些产品的特点和特性。
freescale MC9328MX1 数据手册 该文档介绍了Freescale Semiconductor推出的新产品MC9328MX1的规格和信息。该产品采用了先进的ARM920T核心，具有高度集成的系统功能，适用于个人便携产品市场，并提供了智能集成外设、先进的处理器核心和电源管理功能。
freescale MC9328MX1 说明书 i.MX系列应用处理器通过ARM9™微处理器核心和高度集成的系统功能实现了性能的飞跃。i.MX系列特别针对个人便携式产品市场的需求，提供智能集成外围设备、先进的处理器核心和功率管理能力。MC9328MX1（i.MX1）处理器采用高级和功耗效率高的ARM920T™核心，运行速度高达200 MHz。集成的模块包括USB设备、LCD控制器和MMC/SD主机控制器，支持一套外围设备，以增强便携产品的多媒体体验。它采用256引脚模制阵列过程-球栅格阵列（MAPBGA）封装。
freescale MC9328MX21 数据手册(1)(1) MC9328MX21是一款基于ARM926EJ-S™微处理器核心的片上系统(SoC)，提供高性能处理和集成的系统功能，可应用于智能手机和便携式产品。
freescale MC9328MXL 数据手册(1) MC9328MXL是Freescale Semiconductor发布的新产品，它采用ARM920T™ core，速度高达200 MHz，集成了LCD控制器、USB支持和MMC/SD主机控制器等模块，支持一系列外围设备，可为消费者提供丰富的多媒体体验。
freescale MC9328MXL 数据手册(1)(1) MC9328MXL 是 Freescale Semiconductor 公司生产的一款高性能微处理器，其基于 ARM9 微处理器核心，集成了 LCD 控制器、USB 支持和 MMC/SD 主机控制器等模块，可以为便携式产品提供丰富的多媒体体验。
freescale MC9328MXS 数据手册 i.MX (Media Extensions)系列产品采用ARM9™微处理器核心和高度集成的系统功能，提供了卓越的性能。该处理器具有先进的、高效的ARM920T™核心，运行速度高达100MHz。集成的模块包括USB设备和LCD控制器，支持一套外设，以增强便携产品的功能。
东芝 CMS08 说明书 该文档介绍了TOSHIBA的CMS08肖特基势垒二极管，适用于开关电源、便携设备和电池应用。其特点包括低正向压降、高平均正向电流、重复峰值反向电压等。产品采用小型表面贴装封装，适合紧凑装配。
intersil MS82C55A, MQ82C55A 数据手册 MS82C55A, MQ82C55A是Intersil推出的一款CMOS可编程外设接口，它采用了自对准硅栅CMOS工艺制造，具有24个I/O引脚，可在三种主要工作模式下使用。
Central CMSD4448 SUPER-MINI HIGH SPEED SWITCHING DIODE 数据手册 该文档介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD4448型超高速硅开关二极管的特点和特性，适用于高速开关应用。
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5KM-18A HIGH-SPEED SWITCHING USE 数据手册 FS5KM-18A是三菱生产的一款高压N沟道功率MOSFET，最大电压可达900V，最大电流可达5A，典型开关时间为10ns。
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5SM-18A 数据手册 该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5SM-18A的特点和特性，适用于高速开关用途，如SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等。
MITSUBISHI FS5VS-18A 数据手册 FS5VS-18A是三菱电机生产的一款高压功率MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为5A，额定电流为1.5A。该器件采用TO-220封装，适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、HDD、FDD、TV、VCR、个人电脑等应用。
三菱电机 FS5UM-18A 说明书 该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5UM-18A高速开关的特点和特性。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源供应。
IXYS IXTH / IXTM 11N80，IXTH / IXTM 13N80 数据手册 该文件介绍了IXYS Corporation生产的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极结构和低封装电感。
IXYS IXTQ 180N055T/IXTA 180N055T/IXTP 180N055T 数据手册 该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。
IXYS IXTN 58N50，IXTN 61N50 数据手册 这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。
